[发明专利]一种集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：烧写供电控制电路、电压可调供电电路、电熔丝电路和电源切换电路；

所述烧写供电控制电路，输出第一供电控制信号给所述电压可调供电电路和所述电源切换电路，并输出第一烧写控制信号给所述电熔丝电路；或者输出第二供电控制信号给所述电压可调供电电路和所述电源切换电路，并输出第二烧写控制信号给所述电熔丝电路；

所述电源切换电路，在接收到所述第一供电控制信号时，导通所述电压可调供电电路与所述电熔丝电路的连接；在接收到所述第二供电控制信号时，断开所述电压可调供电电路与所述电熔丝电路的连接；

所述电压可调供电电路，在接收到所述第一供电控制信号时，输出第一电压信号，经所述电源切换电路给所述电熔丝电路，并输出所述第一电压信号给所述集成电路的其他功能电路；在接收到所述第二供电控制信号时，输出第二电压信号给所述集成电路的其他功能电路；

所述电熔丝电路，在接收到所述第一烧写控制信号和所述第一电压信号时，烧断其中对应的电熔丝；在接收到所述第二烧写控制信号时，保证其中对应的电熔丝不被烧断。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括：稳压电容；

所述稳压电容一端接地，另一端与所述电压可调供电电路相连，接收所述第一电压信号或所述第二电压信号。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电压可调供电电路通过集成电路引脚与设置于所述集成电路外的稳压电容一端相连，输出所述第一电压信号或所述第二电压信号给所述稳压电容；所述稳压电容另一端接地。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电压可调供电电路，包括：第一N型金属氧化物半导体晶体管、第一P型金属氧化物半导体晶体管、运算放大器、第一电阻、第二电阻和第二P型金属氧化物半导体晶体管； 

所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅端与所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅端相连；所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的源端、所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏端与所述运算放大器的反相输入端相连；所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端与所述运算放大器的同相输入端相连；所述第二电阻的另一端接地；所述第一电阻的另一端与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏端相连；所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅端与所述运算放大器的输出端相连；

所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏端输入第三电压信号；所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的源端输入第四电压信号；所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅端和所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅端输入所述第一供电控制信号或第二供电控制信号；所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的源端输入5V电压信号；所述第一电阻的另一端和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏端输出所述第一电压信号或所述第二电压信号。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电压可调供电电路，包括：第二N型金属氧化物半导体晶体管、第三P型金属氧化物半导体晶体管、电感、比较器、误差放大器、第一变阻器和第二变阻器；

所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的漏端、所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏端与所述电感的一端相连；所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的栅端、所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅端与所述比较器的输出端相连；所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的源端接地；所述比较器的同相输入端与所述误差放大器的输出端相连；所述第一变阻器的一端、所述第二变阻器的一端与所述误差放大器的同相输入端相连；所述第二变阻器的另一端接地；所述电感的另一端与所述第一变阻器的另一端相连；

所述第三P型金属氧化物半导体晶体管的源端输入5V电压信号；所述比较器的反相输入端输入三角波信号；所述误差放大器的反相输入端输入第五电压信号；所述第一变阻器的选择端和所述第二变阻器的选择端输入所述第一供 电控制信号或第二供电控制信号；所述电感的另一端和所述第一变阻器的另一端输出所述第一电压信号或所述第二电压信号。