[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造有效

专利信息
申请号: 200910138215.9 申请日: 2009-05-04
公开(公告)号: CN101582396A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: G·迈耶-伯格 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/498;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/58;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 汤春龙;王忠忠
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件可包括其上可安装半导体芯片的载体。此外,半导体 器件可包括导电层。可提供导电部件以便在器件的组件之间提供耦 合,如半导体芯片和导电层。

由于这些和其它原因,存在着对本发明的需要。

发明内容

本发明的第一方面在于一种器件,包括:载体;淀积在所述载体 上的第一材料,所述第一材料具有小于100MPa的弹性模量;放置在 所述第一材料上方的半导体芯片;淀积在所述半导体芯片上的第二材 料,所述第二材料电绝缘,其中所述第二材料具有小于100MPa的弹 性模量;放置在所述第二材料上方的金属层;以及填充有导电材料的 一通孔,延伸通过所述第二材料,其将所述半导体芯片的接触垫与由 所述金属层制成的导电线路的一端耦合,并且该导电线路的另一端形 成外部接触垫。

本发明的第二方面在于一种用于制造半导体器件的方法,包括: 提供载体;在所述载体上淀积第一材料,所述第一材料具有小于100 MPa的弹性模量;在所述第一材料上方放置至少两个半导体芯片;在 所述至少两个半导体芯片上淀积第二材料,所述第二材料电绝缘,其 中所述第二材料具有小于100MPa的弹性模量;在所述第二材料上方 应用金属层;以及提供填充有导电材料的一通孔,该通孔延伸通过所 述第二材料,该通孔将所述至少两个半导体芯片的接触垫与由所述金 属层制成的导电线路的一端耦合,并且该导电线路的另一端形成外部 接触垫。

本发明的第三方面在于一种用于制造半导体器件的方法,包括: 将至少两个半导体芯片贴到载体,所述至少两个半导体芯片包括至少 一个接触单元;使用电绝缘材料覆盖所述载体和所述至少两个半导体 芯片;在所述至少两个半导体芯片上方应用金属箔;以及将所述金属 箔焊接到所述至少一个接触单元。

本发明的第四方面在于一种器件,包括:载体;贴到所述载体的 半导体芯片,所述半导体芯片包括至少一个接触单元;覆盖所述载体 和所述半导体芯片的电绝缘材料;覆盖所述半导体芯片并焊接到所述 至少一个接触单元的金属箔;以及填充有焊料的一通孔,延伸通过所 述电绝缘材料,其将半导体芯片的接触单元与由金属箔制成的导电线 路的一端耦合,并且该导电线路的另一端形成外部接触垫。

本发明的第五方面在于一种器件,包括:包括接触单元的半导体 芯片;外部接触单元;以及将所述接触单元电耦合到所述外部接触单 元的导电线路,至少一部分所述导电线路具有连续弯曲形状。

本发明的第六方面在于一种器件,包括:载体;用于提供淀积在 所述载体上的第一材料的部件,所述第一材料部件具有小于100MPa 的弹性模量;放置在所述第一材料上方的半导体芯片;用于提供淀积 在所述半导体芯片上的第二材料的部件,所述第二材料电绝缘,其中 所述第二材料具有小于100MPa的弹性模量;用于提供放置在所述第 二材料上方的金属层的部件;以及填充有导电材料的一通孔,延伸通 过所述第二材料,其将所述半导体芯片的接触垫与由所述金属层制成 的导电线路的一端耦合,并且该导电线路的另一端形成外部接触垫。

附图说明

附图包括在内是为了提供本发明的进一步理解,并且附图并入并 构成此说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例,并且与说明一 起用于解释本发明的原理。本发明的其它实施例和本发明的许多预期 优点将通过参照以下具体实施方式而得到更好地理解,因此将更容易 体会,图中的要素彼此之间不必按比例画出。类似的标号指定对应 的类似部分。

图1以示意图方式示出作为一个示范实施例的器件100。

图2A到2D以示意图方式示出制造器件的方法的一个示范实施 例。

图3A到3E以示意图方式示出制造器件的方法的又一示范实施 例。

图4以示意图方式示出作为又一示范实施例的器件。

图5A到5K以示意图方式示出制造器件的方法的示范实施例。

图6A到6K以示意图方式示出制造器件的方法的示范实施例。

图7A到7I以示意图方式示出制造器件的方法的示范实施例。

图8A到8E以示意图方式示出作为又一示范实施例的器件的不同 视角或器件的部分。

具体实施方式

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