[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造

权利要求书

1.一种器件，包括：

载体；

淀积在所述载体上的第一材料，所述第一材料具有小于100MPa 的弹性模量；

放置在所述第一材料上方的半导体芯片；

淀积在所述半导体芯片上的第二材料，所述第二材料电绝缘，其 中所述第二材料具有小于100MPa的弹性模量；

放置在所述第二材料上方的金属层；以及

填充有导电材料的一通孔，延伸通过所述第二材料，其将所述半 导体芯片的接触垫与由所述金属层制成的导电线路的一端耦合，并且 该导电线路的另一端形成外部接触垫。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述第一材料电绝缘。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述载体由金属制成。

4.如权利要求1所述的器件，其中至少所述第一材料和所述第二 材料之一包括硅。

5.如权利要求1所述的器件，其中第三材料覆盖所述半导体芯片 的至少一个侧表面，所述第三材料具有小于100MPa的弹性模量。

6.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上淀积第一材料，所述第一材料具有小于100MPa的 弹性模量；

在所述第一材料上方放置至少两个半导体芯片；

在所述至少两个半导体芯片上淀积第二材料，所述第二材料电绝 缘，其中所述第二材料具有小于100MPa的弹性模量；

在所述第二材料上方应用金属层；以及

提供填充有导电材料的一通孔，该通孔延伸通过所述第二材料， 该通孔将所述至少两个半导体芯片的接触垫与由所述金属层制成的 导电线路的一端耦合，并且该导电线路的另一端形成外部接触垫。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一材料电绝缘。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二材料包括硅。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二材料有开口以便达到 所述至少两个半导体芯片。

10.如权利要求9所述的方法，其中导电材料淀积在所述第二材 料的开口中。

11.如权利要求6所述的方法，其中在应用所述金属层后，所述 至少两个半导体芯片之一与所述至少两个半导体芯片的另一半导体 芯片分离。

12.一种器件，包括：

载体；

用于提供淀积在所述载体上的第一材料的部件，所述第一材料部 件具有小于100MPa的弹性模量；

放置在所述第一材料上方的半导体芯片；

用于提供淀积在所述半导体芯片上的第二材料的部件，所述第二 材料电绝缘，其中所述第二材料具有小于100MPa的弹性模量；

用于提供放置在所述第二材料上方的金属层的部件；以及

填充有导电材料的一通孔，延伸通过所述第二材料，其将所述半 导体芯片的接触垫与由所述金属层制成的导电线路的一端耦合，并且 该导电线路的另一端形成外部接触垫。