[发明专利]晶片的检测方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体的检测方法，且特别是有关于一种晶片的检测方法。

背景技术

随着半导体技术的蓬勃发展，半导体元件趋向高集成度的电路元件设计，而在整个半导体工艺中最具举足轻重的步骤之一即为光刻工艺(photolithography)。半导体元件结构的各膜层的图案都是由光刻工艺来产生。因此，将掩模上的图案转移至晶片(wafer)上的精确性，便占有非常重要的地位。若是掩模上的图案不正确，则会造成晶片上的图案不正确，因而影响晶片的特性。

一般来说，在将掩模上的图案转移至晶片上后，会对晶片进行检测步骤，以确定晶片上的图案为正确。影像相减(image subtraction)为目前常用的检测方法之一。举例来说，晶片具有多个曝光区，每一个曝光区包括排列成2「行」以及N「列」的2N个芯片，检测机台会在多个连续的时间点下沿着「列」的方向扫描每一个曝光区，以获得位于同一行的多个芯片的影像。在由多个连续的时间点获得多个影像后，进行影像相减步骤，也就是将一时间点所得的影像与其后一时间点所得的影像进行重叠比较，以获得多组连续的影像相减数据。在此检测方法中，假如影像相减数据显示两影像之间具有差异处，则表示相对应此影像的芯片上具有缺陷。

然而，当掩模上有缺陷时，此缺陷会重复地出现在每一个曝光区的相同位置上，假设此缺陷重复地出现在每一曝光区的第二行的同一位置上。因此，当检测机台沿着「列」的方向扫描晶片时，由于每一曝光区的第二行的相同位置具有缺陷，故由每一曝光区的第二行所检索到的影像相同，使得任意两个连续影像的影像相减数据均相同，而无法辨识出晶片上有缺失的存在。换句话说，上述的晶片的检测方法无法确实地检测出晶片上的图案具有缺失。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶片的检测方法，以检测出晶片上的缺陷。

本发明提出一种晶片的检测方法。首先，提供晶片，晶片包括多个曝光区，各曝光区包括在第一方向上排列为2行、在第二方向上排列为N行的2×N个芯片，其中N为大于2的正整数，第一方向与第二方向垂直。接着，沿着扫描方向扫描晶片，其中扫描方向不同于第一方向。

在本发明的一实施例中，上述的扫描方向等于第二方向。

本发明提出又一种晶片的检测方法。首先，提供晶片，晶片包括多个曝光区，曝光区是沿着第一方向进行曝光所形成，各曝光区包括在第一方向上排列为2行、在第二方向上排列为N行的2×N个芯片，其中N为大于2的正整数，第一方向与第二方向垂直。接着，定向晶片，使晶片的各曝光区的芯片在第三方向上排列为2行、在第四方向上排列为N行，其中第三方向不同于第一方向，第四方向不同于第二方向，且第三方向与第四方向垂直。然后，沿着扫描方向扫描晶片，其中扫描方向不等于第三方向。

本发明还提出了一种晶片的检测方法。首先，提供晶片，晶片包括在第一方向上排列为M行的多个芯片，M为大于2的正整数。接着，沿着第一方向扫描晶片，以得到在多个连续的时间点下的M个影像，且将一时间点的影像与其后一时间点的影像进行重叠比较步骤，以得到(M-1)个比较结果，其中(M-1)个比较结果均相同。然后改变扫描方向，其中改变后的扫描方向不等于第一方向。

基于上述，本发明的晶片的检测方法是利用扫描晶片的扫描方向不同于曝光区的芯片排列为2行的方向，来检测晶片上是否有缺陷。且，本发明的晶片的检测方法可以检测出晶片上重复出现的缺陷，诸如因掩模上的缺陷而造成晶片的每一个曝光区均有的缺陷。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的第一实施例的一种晶片的检测方法的示意图。

图2A至图2C是依照本发明的第二实施例的一种晶片的检测方法的流程示意图。

图3A至图3D是依照本发明的第三实施例的一种晶片的检测方法的流程示意图。

【主要元件符号说明】

10、10a：晶片

100：曝光区

110、110a：芯片

120：缺陷

200：区域

A1、A2、D1、D2、D3、D4：方向

ED：曝光方向

SD：扫描方向

A(t0)、A(t1)、B(t2)、A(t3)、A(t4)、B(t5)：影像

具体实施方式