[发明专利]晶片的检测方法有效
申请号: | 200910137991.7 | 申请日: | 2009-05-05 |
公开(公告)号: | CN101882591A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 黃琼仪;张文嘉;古淑玲;林庆尧;陈威铭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/956 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 检测 方法 | ||
1.一种晶片的检测方法,其特征在于,该方法包括:
提供一晶片,该晶片包括多个曝光区,各该曝光区包括在一第一方向上排列为2行、在一第二方向上排列为N行的2×N个芯片,N为大于2的正整数,该第一方向与该第二方向垂直;以及
沿着一扫描方向扫描该晶片,其中该扫描方向不同于该第一方向。
2.根据权利要求1所述的晶片的检测方法,其特征在于,该扫描方向等于该第二方向。
3.根据权利要求1所述的晶片的检测方法,其特征在于,沿着该扫描方向扫描晶片得到在多个连续的时间点下的多个影像,将一时间点的影像与其后一时间点的影像进行一重叠比较步骤,其中当两影像之间具有一差异,则与该差异相对应的芯片上具有一缺陷。
4.一种晶片的检测方法,其特征在于,包括:
提供一晶片,该晶片包括多个曝光区,该多个曝光区是沿着一第一方向进行曝光所形成,各该曝光区包括在该第一方向上排列为2行、在一第二方向上排列为N行的2×N个芯片,其中N为大于2的正整数,该第一方向与该第二方向垂直;以及
沿着一扫描方向扫描该晶片,其中该扫描方向不同于该第一方向。
5.根据权利要求4所述的晶片的检测方法,其特征在于,该扫描方向等于该第二方向。
6.根据权利要求4所述的晶片的检测方法,其特征在于,沿着该扫描方向扫描晶片得到在多个连续的时间点下的多个影像,将一时间点的影像与其后一时间点的影像进行一重叠比较步骤,其中当两影像之间具有一差异,则与该差异相对应的芯片上具有一缺陷。
7.一种晶片的检测方法,其特征在于,包括:
提供一晶片,该晶片包括多个曝光区,该多个曝光区是沿着一第一方向进行曝光所形成,各该曝光区包括在该第一方向上排列为2行、在一第二方向上排列为N行的2×N个芯片,其中N为大于2的正整数,该第一方向与该第二方向垂直;
定向该晶片,使该晶片的各该曝光区的该多个芯片在一第三方向上排列为2行、在一第四方向上排列为N行,其中该第三方向不同于该第一方向,该第四方向不同于该第二方向,且该第三方向与该第四方向垂直;以及
沿着一扫描方向扫描该晶片,其中该扫描方向不等于该第三方向。
8.根据权利要求7所述的晶片的检测方法,其特征在于,该扫描方向等于该第四方向。
9.根据权利要求7所述的晶片的检测方法,其特征在于,该第三方向等于该第二方向且该第四方向等于该第一方向。
10.根据权利要求9所述的晶片的检测方法,其特征在于,该扫描方向等于该第一方向。
11.根据权利要求9所述的晶片的检测方法,其特征在于,定向该晶片的步骤包括将该晶片旋转(n+1/2)π的角度,其中n为0或正整数。
12.根据权利要求11所述的晶片的检测方法,其特征在于,定向该晶片的步骤包括将该晶片旋转90度或270度。
13.根据权利要求7所述的晶片的检测方法,其特征在于,沿着该扫描方向扫描晶片得到在多个连续的时间点下的多个影像,将一时间点的影像与其后一时间点的影像进行一重叠比较步骤,其中当两影像之间具有一差异,则与该差异相对应的芯片上具有一缺陷。
14.一种晶片的检测方法,其特征在于,包括:
提供一晶片,该晶片包括在一第一方向上排列为M行的多个芯片,M为大于2的正整数;
沿着该第一方向扫描该晶片,以得到在多个连续的时间点下的M个影像,且将一时间点的影像与其后一时间点的影像进行重叠比较步骤,以得到(M-1)个比较结果,(M-1)个比较结果均相同;以及
改变扫描方向,其中改变后的该扫描方向不等于该第一方向。
15.根据权利要求14所述的晶片的检测方法,其特征在于,改变后的该扫描方向与该第一方向相差(n+1/2)π的角度,其中n为0或正整数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造