[发明专利]Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底及利用该衬底制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种平均位错密度不超过5×10⁵cm^-2的III族氮化物单晶自立式衬底，其包括：

一个以上的高位错密度区域；以及

多个低位错密度区域，其中所述低位错密度区域的位错密度低于所述高位错密度区域的位错密度。

2.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中所述高位错密度区域的位错密度对所述平均位错密度的比值大得足以阻止裂纹在所述衬底中传播。

3.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中所述高位错密度区域的位错密度对所述平均位错密度的比值为2以上。

4.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中所述高位错密度区域的位错密度为5×10⁵cm^-2～3×10⁶cm^-2。

5.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中所述低位错密度区域的位错密度不超过1×10⁵cm^-2。

6.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中：

所述衬底具有六方晶系结构；以及

在所述衬底中任意选择的{1-100}面与所述一个以上的高位错密度区域相交。

7.如权利要求6所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中：所述一个以上的高位错密度区域形成几何图案，从所述衬底的主面看，所述图案包括如下中的任意一种：条纹图案、多边形格子图案、周期性排列的岛状图案或非重复性图案。

8.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中：

所述衬底主面的表面积为20cm²以上；以及

所述衬底的厚度为1000μm以下。

9.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中所述衬底为GaN单晶自立式衬底。

10.如权利要求1所述的III族氮化物单晶自立式衬底，其中利用HVPE形成所述衬底。

11.利用权利要求1～10任一项中所述的III族氮化物单晶自立式衬底制造半导体装置的方法。