[发明专利]半导体器件的制造方法和湿法处理设备无效
| 申请号： | 200910136809.6 | 申请日： | 2007-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101552196A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 铃木达也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 湿法 处理 设备 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
将导电的第一化学溶液提供给半导体衬底的背表面，其中在所述半导体衬底的正表面上形成有元件；和
在开始所述提供所述导电的第一化学溶液给所述半导体器件的所述背表面之后，通过将导电的第二化学溶液提供给所述半导体衬底的所述正表面来进行湿法处理，
其中在所述导电的第一化学溶液继续被提供到所述半导体器件的所述背表面的同时，所述导电的第二化学溶液开始被提供到所述半导体衬底的所述正表面。
2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，
其中所述第一化学溶液和所述第二化学溶液包含相同的材料。
3.根据权利要求1或2的半导体器件的制造方法，
其中在所述半导体衬底的所述正表面上形成氧化膜，在所述进行湿法处理时，通过所述第二化学溶液来去除所述半导体衬底的所述正表面上形成的所述氧化膜。
4.根据权利要求1或2的半导体器件的制造方法，
其中在所述半导体衬底的所述正表面上形成膜，并且在所述进行湿法处理时，通过所述第二化学溶液来去除在所述半导体衬底的所述正表面上形成的所述膜。
5.一种湿法处理设备，包括：
安装座，在其上安装半导体衬底；
第一化学溶液喷嘴，其将导电的化学溶液提供给安装在所述安装座上的半导体衬底的正表面；
第二化学溶液喷嘴，其将导电的化学溶液提供给安装在所述安装座上的半导体衬底的背表面；和
控制单元，其控制从所述第一化学溶液喷嘴提供所述化学溶液的时刻和从所述第二化学溶液喷嘴提供所述化学溶液的时刻，其中在开始所述从所述第二化学溶液喷嘴提供化学溶液之后并且在继续所述从所述第二化学溶液喷嘴提供化学溶液的同时，所述控制单元开始所述从所述第一化学溶液喷嘴提供化学溶液。
6.根据权利要求5的湿法处理设备，其中在所述半导体衬底的所述正表面上形成膜，并且所述设备被构造为通过来自所述第二化学溶液喷嘴的化学溶液来去除在所述半导体衬底的所述正表面上形成的所述膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
