[发明专利]半导体模组有效
申请号: | 200910135457.2 | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN101572239A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | W·克罗宁杰;J·施韦杰;L·施奈德;O·盖特纳;M·布伦鲍尔;T·迈耶;R·奥特雷姆巴;J·霍格劳尔;H·斯特莱克;X·施洛格尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/482;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;曹 若 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模组 | ||
技术领域
本发明涉及半导体模组(semiconductor module)和制造其的方法。
背景技术
半导体芯片可以被封装。半导体装置可以通过从晶圆分离出单个 裸片(die),在载体上重新布置,并用塑料封装而制得。在本领域非 常期望具有成本效益的封装件及封装方法。
发明内容
根据本发明一方面,提供一种方法,包括:放置至少两个半导体 芯片于载体上;用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成模塑 体;减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来;从所述 至少两个半导体芯片移除所述载体,以及使所述至少两个半导体芯片 单个化。
根据本发明另一方面,还提供一种方法,包括:放置至少两个半 导体芯片于载体上;用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成 模塑体;减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来;在 减薄所述模塑体后,施加第一导电材料层于所述至少两个半导体芯片 之上,其中所述第一导电材料层与所述至少两个半导体芯片上的接触 焊盘电连接;从所述至少两个半导体芯片移除所述载体,以及使所述 至少两个半导体芯片单个化。
根据本发明又一方面,还提供一种模组,包括:半导体芯片,其 具有第一主芯片表面、第二主芯片表面和所述第一主芯片表面上的接 触焊盘;模塑模组体,其由模塑材料制得,用于收容所述半导体芯片, 所述模塑模组体具有第一模塑表面、第二模塑表面及沟槽,所述沟槽 开于所述第一模塑表面和所述第二模塑表面;第一导电材料层,其施 加于所述第一主芯片表面和所述第一模塑表面之上,所述第一导电材 料层与所述接触焊盘电连接,以及,导电元件,其与所述第一导电材 料层电连接,且延伸通过所述沟槽。
根据本发明又一方面,还提供一种模组,包括:半导体芯片,其 具有第一主芯片表面、第二主芯片表面和所述第一主芯片表面上的第 一接触焊盘和所述第二主芯片表面上的第二接触焊盘;模塑模组体, 其由模塑材料制得,用于收容所述半导体芯片,所述模塑模组体具有 第一模塑表面和第二模塑表面;第一导电材料层,其施加于所述第一 主芯片表面和所述第一模塑表面之上,所述导电材料层与所述第一接 触焊盘电连接,以及第二导电材料层,其施加于所述第二主芯片表面 和所述第二模塑表面之上,所述第二导电材料层与所述第二接触焊盘 电连接。
根据本发明又一方面,还提供一种模组,包括:半导体芯片,其 具有第一主芯片表面、第二主芯片表面和所述第一主芯片表面上的接 触焊盘;模塑模组体,其由模塑材料制得,用于收容所述半导体芯片, 所述模塑模组体具有第一模塑表面、第二模塑表面及沟槽,所述沟槽 开于所述第一模塑表面和所述第二模塑表面;第一导电材料层,其施 加于所述第一主芯片表面和所述第一模塑表面之上,所述第一导电材 料层与所述接触焊盘电连接,以及导电元件,其与所述第一导电材料 层电连接,并且延伸通过所述沟槽。
附图说明
附图被包括用以提供对本发明的进一步的理解并且被并入和构 成该说明书的一部分。这些图示出一些实施例并且与说明一起用来解 释实施例的原理。将容易领会其它实施例和实施例的多个预期的优 点,参考以下详细描述它们将变得很好理解。这些图的元件不一定相 对于彼此按比例绘制。相似的参考数字表示相应的相似部分。
图1A至1E示意性示出模组的制造方法的一个实施例。
图2示出了图1E中所示的结构的顶视图。
图3A至3G示意性示出了模组的制造方法的一个实施例。
图4示意性示出了根据一个实施例的第一模组的截面图。
图5示意性示出了根据一个实施例的第二模组的截面图。
图6示意性示出了根据一个实施例的第三模组的截面图。
图7A至7D示意性示出了模组的制造方法的一个实施例。
图8示意性示出了根据一个实施例的第四模组的截面图。
图9示意性示出了根据一个实施例的第五模组的截面图。
图10示意性示出了根据一个实施例的第六模组的截面图。
图11示意性示出了根据一个实施例的装置的截面图。
图12示出了半桥的基本电路图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造