[发明专利]半导体模组有效

专利信息
申请号: 200910135457.2 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101572239A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: W·克罗宁杰;J·施韦杰;L·施奈德;O·盖特纳;M·布伦鲍尔;T·迈耶;R·奥特雷姆巴;J·霍格劳尔;H·斯特莱克;X·施洛格尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/482;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;曹 若
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 模组
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体模组(semiconductor module)和制造其的方法。

背景技术

半导体芯片可以被封装。半导体装置可以通过从晶圆分离出单个 裸片(die),在载体上重新布置,并用塑料封装而制得。在本领域非 常期望具有成本效益的封装件及封装方法。

发明内容

根据本发明一方面,提供一种方法,包括:放置至少两个半导体 芯片于载体上;用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成模塑 体;减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来;从所述 至少两个半导体芯片移除所述载体,以及使所述至少两个半导体芯片 单个化。

根据本发明另一方面,还提供一种方法,包括:放置至少两个半 导体芯片于载体上;用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成 模塑体;减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来;在 减薄所述模塑体后,施加第一导电材料层于所述至少两个半导体芯片 之上,其中所述第一导电材料层与所述至少两个半导体芯片上的接触 焊盘电连接;从所述至少两个半导体芯片移除所述载体,以及使所述 至少两个半导体芯片单个化。

根据本发明又一方面,还提供一种模组,包括:半导体芯片,其 具有第一主芯片表面、第二主芯片表面和所述第一主芯片表面上的接 触焊盘;模塑模组体,其由模塑材料制得,用于收容所述半导体芯片, 所述模塑模组体具有第一模塑表面、第二模塑表面及沟槽,所述沟槽 开于所述第一模塑表面和所述第二模塑表面;第一导电材料层,其施 加于所述第一主芯片表面和所述第一模塑表面之上,所述第一导电材 料层与所述接触焊盘电连接,以及,导电元件,其与所述第一导电材 料层电连接,且延伸通过所述沟槽。

根据本发明又一方面,还提供一种模组,包括:半导体芯片,其 具有第一主芯片表面、第二主芯片表面和所述第一主芯片表面上的第 一接触焊盘和所述第二主芯片表面上的第二接触焊盘;模塑模组体, 其由模塑材料制得,用于收容所述半导体芯片,所述模塑模组体具有 第一模塑表面和第二模塑表面;第一导电材料层,其施加于所述第一 主芯片表面和所述第一模塑表面之上,所述导电材料层与所述第一接 触焊盘电连接,以及第二导电材料层,其施加于所述第二主芯片表面 和所述第二模塑表面之上,所述第二导电材料层与所述第二接触焊盘 电连接。

根据本发明又一方面,还提供一种模组,包括:半导体芯片,其 具有第一主芯片表面、第二主芯片表面和所述第一主芯片表面上的接 触焊盘;模塑模组体,其由模塑材料制得,用于收容所述半导体芯片, 所述模塑模组体具有第一模塑表面、第二模塑表面及沟槽,所述沟槽 开于所述第一模塑表面和所述第二模塑表面;第一导电材料层,其施 加于所述第一主芯片表面和所述第一模塑表面之上,所述第一导电材 料层与所述接触焊盘电连接,以及导电元件,其与所述第一导电材料 层电连接,并且延伸通过所述沟槽。

附图说明

附图被包括用以提供对本发明的进一步的理解并且被并入和构 成该说明书的一部分。这些图示出一些实施例并且与说明一起用来解 释实施例的原理。将容易领会其它实施例和实施例的多个预期的优 点,参考以下详细描述它们将变得很好理解。这些图的元件不一定相 对于彼此按比例绘制。相似的参考数字表示相应的相似部分。

图1A至1E示意性示出模组的制造方法的一个实施例。

图2示出了图1E中所示的结构的顶视图。

图3A至3G示意性示出了模组的制造方法的一个实施例。

图4示意性示出了根据一个实施例的第一模组的截面图。

图5示意性示出了根据一个实施例的第二模组的截面图。

图6示意性示出了根据一个实施例的第三模组的截面图。

图7A至7D示意性示出了模组的制造方法的一个实施例。

图8示意性示出了根据一个实施例的第四模组的截面图。

图9示意性示出了根据一个实施例的第五模组的截面图。

图10示意性示出了根据一个实施例的第六模组的截面图。

图11示意性示出了根据一个实施例的装置的截面图。

图12示出了半桥的基本电路图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910135457.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top