[发明专利]半导体模组

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

放置至少两个半导体芯片于载体上；

用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成模塑体；

减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来；

从所述至少两个半导体芯片移除所述载体；

在所述模塑体的各个主表面上产生导电互连，以及

使所述至少两个半导体芯片单个化来形成模组，其中，在所述单个化以后，所形成的模组的侧表面由形成所述导电互连的导电元件形成。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在减薄所述模塑体期间，减薄所述至少两个半导体芯片。

3.如权利要求2所述的方法，包括：减薄所述至少两个半导体芯片至厚度小于200微米。

4.如权利要求1所述的方法，包括：其中采用磨削或研磨进行减薄。

5.如权利要求1所述的方法，包括：其中在减薄前，嵌入了所述至少两个半导体芯片的所述模塑体的主表面具有表面水平高度方面的至少1毫米差别的弯曲，且其中所述弯曲通过所述减薄被消除。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

从所述载体选择性地移除所述模塑材料的一部分以选择性地暴露所述载体的一部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中选择性地移除所述模塑材料的一部分通过机械钻法、激光钻法和蚀刻中的至少一种来进行。

8.如权利要求6所述的方法，进一步包括：

用导电元件覆盖所述载体的选择性暴露的部分。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

放置至少两个半导体芯片于载体上；

用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成模塑体；

减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来；

在减薄所述模塑体后，提供延伸通过所述模塑体的模塑材料的沟槽；且然后

施加第一导电材料层于所述至少两个半导体芯片之上，其中所述第一导电材料层填充所述沟槽，且与所述至少两个半导体芯片上的接触焊盘电连接；

从所述至少两个半导体芯片移除所述载体，以及

随后使从所述载体上移除的所述至少两个半导体芯片单个化。

10.如权利要求9所述的方法，包括：通过沉积工艺施加所述第一导电材料层。

11.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

沉积第二导电材料层于已经从所述载体脱离的所述至少两个半导体芯片的主表面之上。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

结构化所述第二导电材料层以形成用于模组的外部端子，所述模组由所述的使从所述载体上移除的所述至少两个半导体芯片单个化的步骤形成。

13.一种制造半导体器件的方法，包括：

放置至少两个半导体芯片于载体上；

用模塑材料覆盖所述至少两个半导体芯片以形成模塑体；

减薄所述模塑体直到所述至少两个半导体芯片暴露出来；

在减薄所述模塑体后，提供延伸通过所述模塑体的模塑材料的沟槽；

用导电材料填充所述沟槽，以提供延伸通过所述沟槽的导电元件；且然后施加金属片作为第一导电层于所述至少两个半导体芯片之上，所述金属片与所述至少两个半导体芯片之上的接触焊盘接合以及与延伸通过所述沟槽的所述导电材料接合；

从所述至少两个半导体芯片移除所述载体，以及

随后使从所述载体上移除的所述至少两个半导体芯片单个化。