[发明专利]发光装置及电子设备有效
申请号: | 200910135272.1 | 申请日: | 2009-05-12 |
公开(公告)号: | CN101582440A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 小林英和;白鸟幸也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及通过电致发光而发光的发光装置及电子设备。
背景技术
作为薄型且轻量的发光源,OLED(organic light emitting diode)即有 机EL(electro luminescent)元件备受瞩目,具备多个有机EL元件的图 像显示装置正被开发。有机EL元件具有由有机材料形成的至少一层有机 薄膜被像素电极和对置电极夹持的结构。
在有机EL元件的领域中,公知有利用放大干涉、即谐振来增强发出 的光中的特定波长的光的技术(例如专利文献1)。在该技术中,可以提高 发光颜色的色纯度、或提高被放射出的光相对发光的效率。
专利文献1:国际公开第WO01/39554号国际公开文本
不过,为了实现上述利用了谐振的色纯度的提高并使其具有实效,需 要解决如下所示的课题等:增大与该谐振有关的光的绝对量,或者提高为 了实现该谐振而具备的两个反射层的反射率。
为此,例如可认为增大上述反射层的厚度是一个解决方案。但是,由 于上述两个反射层中的至少一个,除了具有光反射性能之外,还需要具有 光透过性能,所以这样的反射层的厚度增大导致(即便将反射率提高也考 虑在内)透过光量减少的可能性大。于是,例如在上述图像显示装置等中, 还存在只能显示相对较暗的图像等所谓画质劣化的新问题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的发明,可以作为 以下的实施方式或应用例来实现。
为了解决上述的课题,本发明的发光装置具备:发光元件,其具有 第一电极层、第二电极层、以及配置在上述第一及第二电极层之间的发 光功能层;反射层,其向上述发光功能层反射由该发光功能层发出的光; 半透明半反射层,其隔着上述发光功能层被配置在上述反射层的相反 侧,向上述发光功能层反射由该发光功能层发出的光的一部分,并使另 一部分透过;和以上述半透明半反射层为中心,配置在上述反射层侧且 具有折射率n1的第一层、及配置在与该第一层相反一侧且具有折射率 n2的第二层(其中,n2<n1)。
根据本发明,可进一步提高由该发光装置射出的光的色纯度。这基 于以下的情况。
本发明的发光装置具备由发光元件、反射层以及半透明半反射层构 成的谐振器构造,关于其中的半透明半反射层,以夹持其的方式具备第 一层以及第二层,而且,在它们的各折射率n1及n2之间满足n1>n2。 因此,如果考虑将这些第一层、半透明半反射层及第二层这三层作为一 体的层(以下为了简便,称为“半透半反构造层(transflective structure layer)”),则从该谐振器构造的内侧入射到该半透半反构造层的光,在 该层中以接近全反射条件的条件发生反射。
因此,在本发明中,与谐振现象有关的光的绝对量增大的可能性非 常高。由此,通过本发明,可以实现色纯度的提高效果。
在本发明的发光装置中,上述第一层可以构成为包括上述发光功能 层的全部或一部分。
根据该方式,由于第一层包含发光功能层的全部或一部分,换言之, 第一层和发光功能层的全部或一部分可以共用或兼用,所以装置结构的 效率化、简单化得以实现,而且,制造容易性提高。换言之,在本发明 中,有与“第一层”这一要素的增加相伴随的装置结构的复杂化、制造 难易性的增大的可能性,但在本方式中,几乎没有这样的担心。
在本方式中,上述半透明半反射层可以构成为包括上述第二电极 层,作为阴极发挥功能,上述第一层包括作为上述发光功能层的一部分 的电子输送层及电子注入层的至少一方。
根据该方式,由于除了第一层及发光功能层之间的共用或兼用之 外,对于半透明半反射层及第一电极层之间而言,共用或兼用的关系也 成立,所以上述的与装置结构的效率化、简单化、制造容易性提高等有 关的效果更有实效。
另外,在本发明的发光装置中,从上述反射层到上述半透明半反射 层的与上述反射层对置的界面的光学距离,可根据用下述式(1)算出 的d来决定。
2d+φD+φU=mλ … (1)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的