[发明专利]发光装置及电子设备

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，具备：

发光元件，其具有第一电极层、第二电极层、以及配置在所述第一 电极层及第二电极层之间的有机发光层；

反射层，其隔着所述第一电极层配置在所述有机发光层的相反侧， 向所述有机发光层反射由该有机发光层发出的光；

半透明半反射层，其隔着所述有机发光层配置在所述反射层的相反 侧，向所述有机发光层反射由该有机发光层发出的光的一部分，并使另 一部分透过；

配置在所述半透明半反射层与所述有机发光层之间且具有折射率 n1的第一层；以及

隔着所述半透明半反射层配置在与所述第一层相反一侧且具有折 射率n2的第二层，其中，n2＜n1，

所述第二电极层配置在所述第一层与所述第二层之间，

由所述反射层、所述有机发光层、以及所述半透明半反射层构成了 光谐振器。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第一层具有电子输送性。

3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，

所述半透明半反射层至少是所述第二电极层的一部分。

4.如权利要求1～3中任意一项所述的发光装置，其特征在于，

从所述反射层到所述半透明半反射层的与所述反射层对置的界面 的光学距离，基于用下述式(1)算出的d来决定，

2d+φ_D+φ_U=mλ…(1)

这里，λ是由所述光谐振器进行谐振的所述发光元件中的发光波 长，

φ_D是从所述有机发光层侧向所述反射层行进的波长为λ的光被该 反射层反射时的相位变化，

φ_U是从所述有机发光层侧向所述半透明半反射层行进的波长为λ 的光被该半透明半反射层反射时的相位变化，

m是正整数。

5.如权利要求1～3中任意一项所述的发光装置，其特征在于，

所述半透明半反射层的厚度是5～20nm。

6.如权利要求4中所述的发光装置，其特征在于，

所述半透明半反射层的厚度是5～20nm。

7.如权利要求1～3中任意一项所述的发光装置，其特征在于，

所述第二层由透光性材料制成。

8.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，

所述第二层由透光性材料制成。

9.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，

所述第二层由透光性材料制成。

10.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，

所述第二层由透光性材料制成。

11.如权利要求1～3中任意一项所述的发光装置，其特征在于，

具备多个所述发光元件，而且，这些多个发光元件分别与固有的发 光颜色对应，

所述第二层的厚度按照将透过了所述半透明半反射层且具有所述 发光颜色的光的光谱的半值宽度缩窄的方式进行决定。

12.如权利要求11所述的发光装置，其特征在于，

还具备隔着所述第二层被配置在所述反射层的相反侧、防止水及氧 的至少一方进入到所述发光元件的钝化层，

该钝化层的厚度也按照缩窄所述半值宽度的方式决定。

13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

所述第二层是惰性气体。

14.一种电子设备，其特征在于，

具备权利要求1～13中任意一项所述的发光装置。