[发明专利]半导体电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体电路，特别是涉及一种具有电压源线的稳压功能的半导体电路。

背景技术

随着半导体技术的发展，集成电路的制作不断引进更先进的工艺技术。由此，现今的微型电子电路，其可以在微小的电位差下，以微小的电流驱动，即可执行各种应用功能。消费者因此享受到更轻薄、更高效能且更低电耗的高科技产品。

为了可以精确控制半导体电路的运作状态，对各种电子信号便有极高的精确度(preciseness)要求。在现今的集成电路应用中，以运算放大器(operational amplifier)为例，通常运算放大器除了接收欲放大的输入信号之后，运算放大器本身另需连接电压源线。电压源线用以供给各种电子元件所需的电能，以驱动电子元件正常运作。

通常这些电压源线为半导体电路中的全域线(global line)，单一电压源线需要对应到许多电子元件(例如放大器、转换器、负载等)。电压源线需能持续地供应稳定的额定电压。若是电压源线提供的电压偏移，则可能造成各种元件的工作状态大乱，导致电子装置故障或毁损。

一般而言，电压源线通常电性连接相对应的稳压电容，稳压电容可以稳定电压源线的电压供给，提高整体电路的稳定性。一般电容器元件体积过大，并不适用，通常采用半导体电容作为电压源线的稳压电容。

请参阅图1。图1示出了现有技术中半导体电路1的示意图。如图1所示，半导体电路1包含基板10(substrate)、薄氧化层12(thinoxide layer)、多晶硅层14(polysilicon layer)以及电压源线16(voltagesource rail)。通过设置于基板10上的薄氧化层12以及进一步设置于薄氧化层12上的多晶硅层14，可形成的一个半导体电容结构。该半导体电容可作为通过多晶硅层14上方的电压源线16的稳压电容。

然而，上述先前技术中的稳压电容因利用基板提供电容器效果，电压源线的电压信号将对基材上其它的电子元件造成干扰。

此外，电子装置在制造、搬运甚至是正常操作的情况下，皆有可能在电子装置内部累积静电。当不可预期的静电放电现象发生时，产生的静电放电电流可能在电子装置的内部工作电路四处流窜，这些静电放电电流对电子装置的内部工作电路造成不可恢复的损坏。

现有技术中，电子装置为了避免静电放电电流对内部工作电路可能造成的损坏，通常需具有静电放电防护功能的半导体电路。静电放电防护电路用以将可能造成危害的静电放电电流导入特定的静电放电路径，避免损坏精密的内部工作电路。

请参阅图2以及图3。图2示出了现有技术中具有静电放电防护用的半导体电路20的电子装置2的示意图。图3示出了图2中半导体电路20的电路结构示意图。如图2所示，电子装置2中的信号输入端Vin到内部工作电路22之间通常连接有静电放电防护用的二极管电路结构(半导体电路20)。如图3所示，半导体电路20包含基板200以及二极管电路结构202。但二极管电路结构202因设置在基板200中，也会对基板200中邻近的其它元件造成干扰。

本发明提出一种半导体电路，其具有电压源线的稳压功能也可作为静电放电防护电路，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体电路，其具有稳定电压源线的电压信号的功能。

根据一种具体实施例，该半导体电路包含基板、介电层、多晶硅层以及电压源线。介电层设置在基材上。多晶硅层设置在介电层上。多晶硅层具有第一掺杂区、第二掺杂区以及介于第一掺杂区与第二掺杂区之间的本征区(intrinsic region)。电压源线通过多晶硅层上方。多晶硅层通过(借助于)第一掺杂区、第二掺杂区以及本征区形成稳压电容，稳压电容用以对应稳定该电压源线通过电压，进而提高半导体电路的稳定性。

根据本发明的具体实施例，该半导体电路中的该电压源线为高压源线。

根据本发明的具体实施例，该半导体电路中的该电压源线为低压源线。

根据本发明的优选具体实施例，该半导体电路中的该电压源线为接地线(GND)。

根据本发明的具体实施例，该半导体电路中的该第一掺杂区的第一掺杂型与该第二掺杂区的第二掺杂型相反。

根据本发明的具体实施例，该半导体电路中的该介电层为薄氧化层(thin oxide)。

根据本发明的具体实施例，该半导体电路中的该介电层为场氧化层(field oxide)。

本发明的另一目的在于提供一种半导体电路，其具有静电放电防护电路的功能。