[发明专利]半导体电路有效
| 申请号： | 200910134488.6 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101866891A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 黄耀生;杨景荣 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/861;H01L29/92;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 | ||
1.一种半导体电路，包含：
基板；
介电层，设置于所述基板上；
多晶硅层，设置于所述介电层上，其具有第一掺杂区、第二掺杂区以及介于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的本征区；以及
电压源线，所述电压源线通过所述多晶硅层上方。
2.根据权利要求1所述的半导体电路，所述多晶硅层借助于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述本征区形成稳压电容，所述稳压电容用以对应稳定所述电压源线的通过电压。
3.根据权利要求2所述的半导体电路，其中所述电压源线为高压源线。
4.根据权利要求2所述的半导体电路，其中所述电压源线为低压源线。
5.根据权利要求2所述的半导体电路，其中所述电压源线为接地线。
6.根据权利要求2所述的半导体电路，其中所述第一掺杂区的第一掺杂型与所述第二掺杂区的第二掺杂型相反。
7.根据权利要求1所述的半导体电路，其中所述介电层为薄氧化层。
8.根据权利要求1所述的半导体电路，其中所述介电层为场氧化层。
9.一种半导体电路，包含：
基板；
介电层，设置于所述基板上；以及
多晶硅层，设置于所述介电层上，其具有第一掺杂区、第二掺杂区以及介于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的本征区。
10.根据权利要求9所述的半导体电路，其中所述多晶硅层的所述第一掺杂区与所述第二掺杂区形成二极管，用以作为静电放电防护电路。
11.根据权利要求10所述的半导体电路，其中所述第一掺杂区的第一掺杂型与所述第二掺杂区的第二掺杂型相反。
12.根据权利要求9所述的半导体电路，其中所述介电层为薄氧化层。
13.根据权利要求9所述的半导体电路，其中所述介电层为场氧化层。
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