[发明专利]半导体贯通电极形成方法有效
| 申请号： | 200910133267.7 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101582384A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 东和司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/54;H05K3/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张 鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 贯通 电极 形成 方法 | ||
1.一种贯通电极形成方法，将形成在基板表面的半导体元件的电极和形成在基板背面的电极焊盘进行电连接，其特征在于，具有：
对所述电极焊盘上的所述基板形成贯通孔的工序；
从所述基板表面沿所述贯通孔的内周利用喷墨涂敷方法形成一层在表面具有凹凸的不规则形状的绝缘树脂糊料、使得在中央部具有空间的绝缘树脂形成工序；
从基板表面在所述空间内利用喷墨涂敷方法填充一层在表面具有凹凸的不规则形状的一个或多个导电性树脂糊料的导电性树脂填充工序；及
依次重复所述绝缘树脂形成工序及所述导电性树脂填充工序、直到将所述绝缘树脂糊料及所述导电性树脂糊料填充至所述贯通孔的基板表面为止的层叠工序。
2.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
在所述绝缘树脂形成工序中，使形成在所述贯通孔的深度方向上的中央部附近的绝缘树脂在所述贯通孔的径向上的厚度相比周边部的厚度要大。
3.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
在所述绝缘树脂形成工序中，使形成在所述贯通孔的深度方向上的中央部附近的绝缘树脂在所述贯通孔的径向上的厚度相比周边部的厚度要小。
4.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
进行所述层叠工序时，使所述绝缘树脂形成工序中的所述绝缘树脂在所述贯通孔的径向上的厚度交替地变大变小。
5.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
形成所述贯通孔，使得所述贯通孔的径向上的大小从所述基板表面侧朝所述基板背面侧逐渐变小。
6.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
所述导电性树脂糊料是含有Au或Cu或Ag的树脂糊料。
7.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
在涂敷所述绝缘树脂糊料及所述导电性树脂糊料时，每隔一层绝缘性树脂或导电性树脂错开绝缘性树脂或导电性树脂的涂敷位置。
8.如权利要求1所述的贯通电极形成方法，其特征在于，
在涂敷所述绝缘树脂糊料及所述导电性树脂糊料时，每隔一层绝缘性树脂或导电性树脂使绝缘性树脂或导电性树脂的涂敷量变化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
