[发明专利]双电感结构有效
申请号: | 200910132456.2 | 申请日: | 2009-03-26 |
公开(公告)号: | CN101673618A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 徐膺杰;李宝男;陈纪翰 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01F37/00 | 分类号: | H01F37/00;H01F30/06;H01F27/36;H01F27/28;H01F27/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 勍 |
地址: | 台湾省高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 结构 | ||
1.一种双电感结构,包括:
一基板,具有一走线层与一接地层;
一第一电感组件,设置于该走线层,该第一电感组件具有相连的一第一导体与一第二导体;
一第二电感组件,设置于该走线层,具有相连的一第三导体与一第四导体,该第四导体邻近于该第二导体;以及
一接地组件,设置于该接地层,该接地组件具有相连的一第一接地部与一第二接地部,该第一接地部位于该接地层对应于该第一导体与该第三导体之间的区域,至少部分的该第二接地部位于该接地层对应于该第一导体与该第二导体之间的区域,且至少部分的该第二接地部位于该接地层对应于第三导体与该第四导体之间的区域。
2.如权利要求1所述的双电感结构,其中该第二接地部的形状实质上为环型,该第二接地部环绕该接地层对应于该第二导体与该第四导体的区域。
3.如权利要求1所述的双电感结构,其中部分的该第一导体与部分的该第三导体的形状实质上为螺旋状。
4.如权利要求1所述的双电感结构,其中该第二导体、该第四导体及该第一接地部的形状实质上为条状。
5.如权利要求1所述的双电感结构,其中该接地组件更包括一第三接地部,环绕该接地层对应于该第一导体与该第三导体的区域。
6.如权利要求1所述的双电感结构,其中该第一导体与该第三导体相对,该第二导体与该第四导体相对。
7.如权利要求6所述的双电感结构,其中该第一导体实质上与该第三导体 平行,该第二导体实质上与该第四导体平行。
8.如权利要求7所述的双电感结构,其中该第一导体与该第三导体的间距实质上等于该第二导体与该第四导体的间距。
9.如权利要求1所述的双电感结构,其中该第一电感组件与该第二电感组件的互感值实质上与该第二导体与该第四导体相隔的一间距及各自具有的一长度相关。
10.如权利要求9所述的双电感结构,其中该间距的大小与该第一电感组件及该第二电感组件的互感值的大小成反比关系,该长度的大小与该第一电感组件及该第二电感组件的互感值的大小成正比关系。
11.如权利要求1所述的双电感结构,其中该第一电感组件与该第二电感组件各自的自感值与该第一电感组件与该第二电感组件各自具有的一长度相关。
12.如权利要求11所述的双电感结构,其中该第一电感组件与该第二电感组件各自的自感值的大小与各自具有的该长度的大小成正比关系。
13.如权利要求1所述的双电感结构,其中该第一电感组件具有一第一预设感值L1,该第一导体与该第二导体分别具有电感值L1a及L1b,其中L1a+L1b=L1;该第二电感组件具有一第二预设感值L2,该第三导体与该第四导体分别具有电感值L2a及L2b,其中L2a+L2b=L2;该第一导体与该第三导体产生的互感 该第二导体与该第四导体产生的互感 互感 其中K为互感系数,Lm为一预设互感。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910132456.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:5-吡啶酮取代的吲唑
- 下一篇:光信息记录方法