[发明专利]一种基于与非门结构内存的控制电路系统无效
| 申请号: | 200910131488.0 | 申请日: | 2009-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN101521041A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
| 发明(设计)人: | 冯伟;党相甫 | 申请(专利权)人: | 北京泰科源科技有限责任公司 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C29/42 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100080北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 与非门 结构 内存 控制电路 系统 | ||
1.一种基于与非门结构内存的控制电路系统,适用于固态存储设备中, 其特征在于,所述控制电路系统是大规模可编程数字集成电路器件,包括NIOS II接口电路、指令预处理电路、通道控制电路、ECC编解码电路和数据输入输 出电路,所述NIOS II接口电路与所述指令预处理电路和所述数据输入输出电 路分别连接,所述指令预处理电路、通道控制电路、ECC编解码电路和数据输 入输出电路依次连接,其中,
所述NIOS II接口电路,用于同所述固态存储设备的外部接口以及内部的 所述指令预处理电路、通道控制电路、ECC编解码电路和数据输入输出电路进 行通讯,完成对所述控制电路系统的设置和初始化的控制;
所述指令预处理电路,用于接收NIOS II发来的指令包,并根据读取的 FLASH ID信息,生成和NAND FLASH的地址组织形式联系的指令集合;
所述通道控制电路,用于和NAND FLASH组进行数据读写操作;
所述ECC编解码电路,用于对读写NAND FLASH的数据进行解码和编码运 算;
所述数据输入输出电路,用于对不同片的FLASH同时操作实现通道FLASH 的流水操作。
2.根据权利要求1所述的一种基于与非门结构内存的控制电路系统,其 特征在于,还包括NAND FLASH信息存储器,所述NAND FLASH信息存储器是一 个32k X 8bit的DPRAM,用于存储FLASH ID信息、坏块信息和CACHE中的数 据信息。
3.根据权利要求1所述的一种基于与非门结构内存的控制电路系统,其 特征在于,还包括缓存存储器,所述缓存存储器是一个32k X 8bit的DPRAM, 用来缓存读写数据信息。
4.根据权利要求1所述的一种基于与非门结构内存的控制电路系统,其 特征在于,所述NIOS II接口电路进一步包括NIOS II地址寄存器、NIOS II 控制信号寄存器、第一内部控制状态机、指令执行状态寄存器、发送指令寄存 器和NIOS II数据总线三态调度逻辑电路,其中,
所述NIOS II地址寄存器的输入端来自NIOS II的地址信号总线;
所述NIOS II控制信号寄存器的输入端来自NIOS II输出的控制信号;
所述第一内部控制状态机的输入端与所述NIOS II地址寄存器、NIOS II 控制信号寄存器的输出端相连,输出控制信号分别与所述指令执行状态寄存 器、发送指令寄存器和NIOS II数据总线三态调度逻辑电路的控制输入信号相 连;
所述指令执行状态寄存器的数据输入端分别与所述通道控制电路的指令 执行状态寄存器的输出端和所述第一内部控制状态机的输出端相连,输出端与 所述NIOS II数据总线三态调度逻辑电路的输入端相连;
所述发送指令寄存器的输入端分别与所述NIOS II数据总线三态调度逻辑 电路和所述第一内部控制状态机的输出端相连,输出端与所述指令预处理电路 的指令缓存寄存器的输入端相连;
所述NIOS II数据总线三态调度逻辑电路的一组端口与接口的NIOS II 数据总线相连,由所述第一内部控制状态机的输出控制信号和所述指令执行状 态寄存器的输出状态信号控制所述端口的方向,完成三态调度,输出端与所述 发送指令寄存器相连。
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