[发明专利]具有穿导孔的硅晶片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅晶片及其制造方法，特别是涉及一种具有穿导孔的硅晶片及其制造方法。

背景技术

参考图1及图2，显示已知具有穿导孔的硅晶片的剖面示意图及其局部放大图。该已知具有穿导孔的硅晶片1具有硅基材11、至少一电性元件12、至少一穿导孔13、绝缘层14及重布层15。该硅基材11具有第一表面111、第二表面112及穿孔113。该电性元件12位于该硅基材11内，且显露于该硅基材11的第二表面112。该穿导孔13贯穿该硅基材11，该穿导孔13包括阻绝层133及导电体134，该阻绝层133位于该穿孔113的侧壁，该导电体134位于该阻绝层133内。该穿导孔13具有第一端131及第二端132，该第一端131显露于该硅基材11的第一表面111，且该第二端132连接该电性元件12。该绝缘层14位于该硅基材11的第一表面111，该绝缘层14具有表面141及至少一开口142，该开口142显露该穿导孔13的第一端131。该重布层15位于该绝缘层14的表面141及开口142，该重布层15具有至少一电性连接区域151，用以连接该穿导孔13的第一端131。

该已知具有穿导孔的硅晶片1的缺点如下。该绝缘层14的开口142的直径D₁必须小于该硅基材11的穿孔113的孔径D₂，否则该重布层15的电性连接区域151会直接接触该硅基材11，导致电性短路。然而，该绝缘层14多以黄光工艺进行图案化，而黄光工艺的解析度较低，难以做出精密而准确的图案，而容易使该绝缘层14的开口142的直径D₁大于该硅基材11的穿孔113的孔径D₂，使得该重布层15的电性连接区域151直接接触该硅基材11，导致电性短路。反之，若该绝缘层14以高解析度的工艺进行图案化，其后续需要更多工艺，导致工艺步骤繁复，且制造成本提高。

因此，有必要提供一种具有穿导孔的硅晶片及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种具有穿导孔的硅晶片。该硅晶片包括硅基材、绝缘层、至少一电性元件及至少一穿导孔。该硅基材具有第一表面及第二表面。该绝缘层位于该硅基材的第一表面，该绝缘层具有表面。该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面。该穿导孔贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔包括阻绝层及导电体，且具有第一端及第二端，该第一端显露于该绝缘层的表面，且该第二端连接该电性元件。

本发明还提供一种具有穿导孔的硅晶片的制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)提供硅晶片，该硅晶片包括硅基材、至少一电性元件及至少一穿导孔，该硅基材具有第一表面及第二表面，该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面，该穿导孔位于该硅基材内，该穿导孔包括阻绝层及导电体，且具有第一端及第二端，且该第二端连接该电性元件；(b)从该硅基材的第一表面移除部分该硅基材，以显露该穿导孔的第一端；(c)形成绝缘层，以覆盖显露的穿导孔的第一端，该绝缘层具有表面；及(d)移除部分该绝缘层，使该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面。

由此，在本发明中，由于该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面，当形成重布层于该绝缘层的表面时，该重布层不会接触该硅基材，因而可以避免电性短路的问题，故可使用较低解析度的工艺，同时降低制造成本并简化工艺步骤。

附图说明

图1显示已知具有穿导孔的硅晶片的剖面示意图；

图2显示图1的局部放大图；

图3至图7显示本发明具有穿导孔的硅晶片的制造方法的示意图；及

图8显示图7的局部放大图。

附图标记说明

1   已知具有穿导孔的硅晶片

2A  硅晶片

2B  本发明具有穿导孔的硅晶片

11  硅基材       12  电性元件

13  穿导孔       14  色缘层

15  重布层

21  硅基材       22  电性元件

23  穿导孔       24  绝缘层

25  重布层

111 第一表面     112 第二表面

113 穿孔         131 第一端

132 第二端       133 阻绝层

134 导电体       141 表面

142 开口         151 电性连接区域

211 第一表面     212 第二表面

213 第一穿孔     231 第一端