[发明专利]具有穿导孔的硅晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种具有穿导孔的硅晶片，包括：

硅基材，具有第一表面及第二表面；

绝缘层，位于该硅基材的第一表面，该绝缘层具有一表面；

至少一电性元件，位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面；及

至少一穿导孔，贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔包括阻绝层及导电体，且具有第一端及第二端，该第一端显露于该绝缘层的表面，且该第二端连接该电性元件。

2.如权利要求1的硅晶片，其中该绝缘层为低介电常数材料，其介电常数小于4。

3.如权利要求1的硅晶片，其中该电性元件为互补式金属-氧化层-半导体。

4.如权利要求1的硅晶片，其中该硅基材具有第一穿孔，该绝缘层具有第二穿孔，该第一穿孔及该第二穿孔的孔径相同，且该穿导孔位于该第一穿孔及该第二穿孔内。

5.如权利要求4的硅晶片，其中该第一穿孔及该第二穿孔相连通。

6.如权利要求1的硅晶片，还包括重布层，其位于该绝缘层的表面，该重布层具有至少一电性连接区域，用以连接该穿导孔的第一端。

7.如权利要求6的硅晶片，其中该重布层的电性连接区域的面积大于该穿导孔的第一端的面积。

8.如权利要求6的硅晶片，其中该重布层的电性连接区域完全盖住该穿导孔的第一端。

9.一种具有穿导孔的硅晶片的制造方法，包括：

(a)提供硅晶片，该硅晶片包括硅基材、至少一电性元件及至少一穿导孔，该硅基材具有第一表面及第二表面，该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面，该穿导孔位于该硅基材内，该穿导孔包括阻绝层及导电体，且具有第一端及第二端，该第二端连接该电性元件；

(b)从该硅基材的第一表面移除部分该硅基材，以显露该穿导孔的第一端；

(c)形成绝缘层，以覆盖显露的穿导孔的第一端，该绝缘层具有一表面；及

(d)移除部分该绝缘层，使该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面。

10.如权利要求9的方法，其中该步骤(a)中，该电性元件为互补式金属-氧化层-半导体。

11.如权利要求9的方法，其中该步骤(c)中，该绝缘层为低介电常数材料，其介电常数小于4。

12.如权利要求9的方法，其中该步骤(d)中，该硅基材具有第一穿孔，该绝缘层具有第二穿孔，该第一穿孔及该第二穿孔的孔径相同，且该穿导孔位于该第一穿孔及该第二穿孔内。

13.如权利要求12的方法，其中该第一穿孔及该第二穿孔相连通。

14.如权利要求9的方法，其中该步骤(d)之后，还包括形成重布层于该绝缘层的表面的步骤，该重布层具有至少一电性连接区域，用以连接该穿导孔的第一端。

15.如权利要求14的方法，其中该重布层的电性连接区域的面积大于该穿导孔的第一端的面积。

16.如权利要求14的方法，其中该重布层的电性连接区域完全盖住该穿导孔的第一端。