[发明专利]半导体装置无效
| 申请号: | 200910131108.3 | 申请日: | 2009-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN101771011A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
| 发明(设计)人: | 饶哲源;张圣明 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L25/00;H01L23/52;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
半导体裸晶,包括:裸晶核心,具有至少两个接合焊盘,所述接合焊盘的电压值相等,且所述接合焊盘间经由至少一个接合引线电性连接;以及输入/输出外围,所述输入/输出外围与所述裸晶核心邻接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述接合焊盘的引线接合类型为球形接合、接合焊盘上引脚接合或球形上引脚接合。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述接合焊盘间经由多个接合引线电性连接,并且所述接合焊盘的其中一个包括至少一个多接合位。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述裸晶核心进一步包括备用焊盘开口。
5.一种半导体装置,其特征在于,包括:
第一半导体裸晶,包括:第一裸晶核心,具有至少一个接合焊盘;以及第一输入/输出外围,具有至少一个输入/输出接合焊盘;以及
第二半导体裸晶,包括:第二裸晶核心,具有至少一个接合焊盘,所述第二裸晶核心的所述接合焊盘的电压值与所述第一裸晶核心的所述接合焊盘的电压值相等;以及第二输入/输出外围,具有至少一个输入/输出接合焊盘;
其中,所述第一裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘经由至少一个接合引线电性连接。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘的引线接合类型为球形接合、接合焊盘上引脚接合或球形上引脚接合。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘经由多个接合引线电性连接,并且所述第一裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘的其中一个包括至少一个多接合位。
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的电压值与所述第一裸晶核心的所述接合焊盘的电压值相等,并且所述第一输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘经由至少一个接合引线与所述第一裸晶核心的所述接合焊盘电性连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第一裸晶核心的所述接合焊盘以及所述第一输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的引线接合类型为球形接合、接合焊盘上引脚接合或球形上引脚接合。
10.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第一裸晶核心的所述接合焊盘与所述第一输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘经由多个接合引线电性连接,并且所述第一裸晶核心的所述接合焊盘与所述第一输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的其中一个包括至少一个多接合位。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的电压值与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘的电压值相等,所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘经由多个接合引线电性连接,并且所述第二裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的其中一个包括至少一个多接合位。
12.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的电压值与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘的电压值相等,并且所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘经由至少一个接合引线与所述第二裸晶核心的所述接合焊盘电性连接。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,所述第二裸晶核心的所述接合焊盘以及所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的引线接合类型为球形接合、接合焊盘上引脚接合或球形上引脚接合。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,所述第二裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘经由多个接合引线电性连接,并且所述第二裸晶核心的所述接合焊盘与所述第二输入/输出外围的所述输入/输出接合焊盘的其中一个包括至少一个多接合位。
15.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述第一半导体裸晶和所述第二半导体裸晶并排设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910131108.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





