[发明专利]半导体裸芯片的接合焊盘排布方法以及半导体裸芯片有效
| 申请号: | 200910130983.X | 申请日: | 2009-04-21 |
| 公开(公告)号: | CN101599439A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
| 发明(设计)人: | 饶哲源 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/58;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/52 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛 强;张一军 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 芯片 接合 排布 方法 以及 | ||
1.一种半导体裸芯片的接合焊盘排布方法,其特征在于包含:
确定排布于半导体裸芯片的外围区域的接合焊盘结构,其中,该接合焊盘结 构包含多个接合焊盘,以及该多个接合焊盘的每一者具有预设连接区域;
控制该多个接合焊盘的每一者的排布方向,以选择性地配置该预设连接区 域电性连接到多个导电结构中的一者,其中,该多个导电结构包含在该半导体 裸芯片的至少一金属互连层中;以及
保存排布于该半导体裸芯片的该外围区域的该多个接合焊盘的设定。
2.如权利要求1所述的半导体裸芯片的接合焊盘排布方法,其特征在于, 进一步包含:
确定该半导体裸芯片的边缘位置以及印刷电路板的边缘位置之间的多个电 源导体以及多个信号导体的顺序,其中,该半导体裸芯片将安置于该印刷电路 板上;
其中,该多个电源导体以及该多个信号导体形成于该印刷电路板上;以及 根据该多个电源导体以及该多个信号导体的该顺序定义该接合焊盘结构。
3.如权利要求1所述的半导体裸芯片的接合焊盘排布方法,其特征在于, 确定在该半导体裸芯片的该外围区域的该接合焊盘结构的步骤包含:
确定将放置于该半导体裸芯片的该外围区域的多个接合焊盘的排的数量; 以及
对于每一排,定义多个导电结构的一个或者多个类型,
位于该排的该接合焊盘的每一者均电性连接于该多个导电结构中的一者。
4.如权利要求1所述的半导体裸芯片的接合焊盘排布方法,其特征在于, 控制该多个接合焊盘的每一者的该排布方向的步骤包含:
旋转该接合焊盘,以在特定位置放置该预设连接区域,从而配置该预设连 接区域电性连接到对应该特定位置的特定导电结构。
5.一种待封装结构,其特征在于包含:
半导体裸芯片;
基板;
至少一个金属互连层,位于该半导体裸芯片之上,该至少一个金属互连层 包括多个导电结构,其中该多个导电结构分属于第一电源网络、第二电源网络 以及信号网络;以及
接合焊盘结构,排布于该半导体裸芯片的外围区域,该接合焊盘结构的每 一排包含:
多个接合焊盘,包含第一接合焊盘以及第二接合焊盘,其中,依据该第一 接合焊盘的排布方向,该第一接合焊盘选择性地电性连接于第一导电结构或第 二导电结构,依据该第二接合焊盘的排布方向,该第二接合焊盘选择性地电性 连接于第三导电结构或第四导电结构,该第一导电结构以及该第二导电结构属 于该第一电源网络、该第二电源网络以及该信号网络中不同者,该第三导电结 构以及该第四导电结构属于该第一电源网络、该第二电源网络以及该信号网络 中不同者。
6.如权利要求5所述的待封装结构,其特征在于,该接合焊盘结构为多排 接合焊盘结构。
7.如权利要求5所述的待封装结构,其特征在于,该多个接合焊盘为排布 在同一轴线四周的接合焊盘排布或者为交错接合焊盘排布。
8.如权利要求5所述的待封装结构,其特征在于,该半导体裸芯片为使用 BGA封装或者QFP封装。
9.如权利要求5所述的待封装结构,其特征在于,该第一电源网络或者该 第二电源网络为接地网络。
10.如权利要求5所述的待封装结构,其特征在于,该第一电源网络或者该 第二电源网络分割为多个部分,该多个部分中每一者均可为该半导体裸芯片提 供不同的电压电势。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910130983.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:搬送装置以及处理装置
- 下一篇:光信息记录再现装置和光信息记录方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





