[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号: | 200910130741.0 | 申请日: | 2009-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN101515627A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
| 发明(设计)人: | 幡俊雄;筱原久幸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/28 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本国大阪府大阪市阿倍野*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及使用了发光二极管等的半导体发光装置。
背景技术
如图6所示,现有的表面安装型发光二极管在封装体100的凹部 101的内部设置发光元件102,放置发光元件102的引线(lead)电极 103并排设置在封装体100的长边方向上。引线接合法(wire bonding) 用引线电极104设置在引线电极103外侧的封装体100长边方向的端部 上。并且,各个发光元件102被放置在不同的引线电极103a、103b、 103c上,在各个发光元件102和各个引线电极104之间露出由树脂构 成的封装体100的凹部101的底面。露出的凹部101的底面与填充到凹 部101内的模具(mold)部件(未图示)粘合。此外,发光元件102 分别独立与外部电连接(例如参照特开2004-71675号公报)。
在如特开2004-71675号公报所示的发光二极管的结构中,为了改 善散热性而增大引线电极103的面积时,存在会产生发光元件102的光 轴错位或引起脱落的问题。其原因如下。设置在引线电极103上的发光 元件102还与为了密封而设置的密封部件连接。该密封部件与由金属材 料构成的引线电极103有不同的热膨胀系数。因此,对于密封部件和引 线电极103来说,加热引起的膨胀以及冷却引起的收缩的比例都差别很 大。其结果是发光元件102与引线电极103错位,会产生光轴错位或引 起脱落。
此外,通常对引线电极103和引线电极104实施镀银,由于该电极 之间的电位差以及从周围空气中吸附到表面上的水分的存在,所以会发 生镀了银的各个引线电极的镀银的迁移(migration)。因此,引线电极 引起电短路,还会发生引起发光元件不点亮这样的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种可靠性十分高的半导体发光装置,通过进 一步减小用于密封的密封树脂和放置发光元件的金属部件区域的接触 面积,防止由于密封树脂和金属部件区域的热膨胀系数不同所引起的从 金属部件区域的发光元件的脱落和错位。
为了解决所述问题,本发明的半导体发光装置包括:封装体;设置 在该封装体规定面上的发光元件;设置在封装体的所述规定面上、放置 发光元件的金属部件区域;设置在封装体的所述规定面上,通过导线连 接发光元件的电极的引出电极;按照使所述金属部件区域相互隔开从而 使其分割为多个的方式设置在封装体的所述规定面上,且从所述金属部 件区域的表面向上方突出的凸形树脂部;和形成在金属部件区域上的遮 盖树脂。在封装体的所述规定面上,还包括遮盖金属部件区域、遮盖树 脂、以及凸形树脂部的密封树脂,至少凸形树脂部和遮盖树脂与密封树 脂接触。封装体的所述规定面能由封装体中设置的凹部的底面构成。
本发明的一个实施方式具有如下结构。在电连接发光元件和引出电 极的导线的下方不形成凸形树脂部。此外,也能将遮盖树脂形成为从封 装体凹部的底面一端连续延伸,也能在引出电极的面上形成遮盖树脂。 构成封装体的树脂和遮盖树脂能是相同的材料。
本发明的另一个实施方式具有如下结构。装载发光元件的电极面或 者引出电极形成在凹部的底面的一个侧面一侧。此外,多个发光元件的 装载面或者多个引出电极被凸形的树脂部隔开。也能在引出电极上的与 导线相连接的部分的周围形成遮盖树脂。构成封装体的树脂和密封树脂 包括从聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚(PPS)、 液晶聚合物(LCP)、ABS树脂、环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、 PBT树脂、和硅树脂构成的组中选择的至少一种。
根据本发明,由于包括设置在封装体的规定面上的将金属部件区域 分割为多个的凸形树脂部,所以在不同的金属部件区域上分别放置各个 发光元件,从而能够使发光元件发光时产生的热通过独立的路径向外扩 散。因此,即使在接通大电流时也能维持良好的散热性,其结果,能够 保持发光元件的特性,抑制密封树脂的老化。此外,由于能够减小引出 电极与密封电极的接触面积,所以能够防止从引出电极的发光元件的脱 落和错位,能够提供可靠性十分高的发光二极管。而且,由于凸形的树 脂部成为银迁移的障碍,所以能防止电短路。
通过以下结合附图对本发明所作的详细说明,将明了本发明的所述 及其它目的、特征、情形和优点。
附图说明
图1A是表示本发明实施方式1的半导体发光装置的一个侧面即发 光面的图,图1B是表示图1A的IB-IB线剖面的图。
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