[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号: | 200910130741.0 | 申请日: | 2009-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN101515627A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
| 发明(设计)人: | 幡俊雄;筱原久幸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/28 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本国大阪府大阪市阿倍野*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
1.一种半导体发光装置,其特征在于,
包括:封装体;
发光元件,设置在所述封装体的规定面上;
金属部件区域,设置在所述封装体的所述规定面上,载置所述发光 元件;
引出电极,设置在所述封装体的所述规定面上,通过导线与所述发 光元件的电极连接;
凸形的树脂部,按照使所述金属部件区域相互隔开从而使其分割为 多个的方式设置在所述封装体的所述规定面上,且该凸形的树脂部从所 述金属部件区域的表面向上方突出;
遮盖树脂,部分形成在所述金属部件区域上;
密封树脂,在所述封装体的所述规定面上,覆盖所述金属部件区域、 所述遮盖树脂和所述凸形的树脂部,
至少所述凸形的树脂部和所述遮盖树脂与所述密封树脂接触。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述封装体的所述规定面是在所述封装体上设置的凹部的底面。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
在电连接所述发光元件和所述引出电极的所述导线的下方,不形成 所述凸形的树脂。
4.根据权利要求2所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述遮盖树脂从所述封装体的所述凹部的底面的一端连续延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
在所述引出电极的面上形成所述遮盖树脂。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
构成所述封装体的树脂与所述遮盖树脂是相同的材料。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
多个所述发光元件的装载面被所述凸形的树脂分割。
8.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述多个引出电极被所述凸形的树脂相互隔开。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
在所述引出电极上的与所述导线相连接的连接部分的周围形成所 述遮盖树脂。
10.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
构成所述封装体的树脂和所述密封树脂包括从聚邻苯二甲酰胺 (PPA)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、 ABS树脂、环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、PBT树脂、和硅树脂 构成的组中选择的至少一种。
11.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述密封树脂形成为透镜状,以覆盖所述凸形的树脂和所述遮盖树 脂。
12.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
对载置所述发光元件的金属部件区域和所述引出电极实施镀银。
13.根据权利要求2所述的半导体发光装置,其特征在于,
对所述封装体的凹部的内侧斜面实施镜面处理。
14.根据权利要求13所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述镜面处理是铝或银的镜面镀。
15.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述密封树脂由透明树脂构成。
16.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述密封树脂由含荧光体的树脂构成。
17.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述密封树脂由含散射剂的树脂构成。
18.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述密封树脂为大致半球形。
19.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述密封树脂为大致圆柱形。
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