[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910129859.1 | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101577231A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
通过以第一等离子体来处理衬底表面而形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成源电极和漏电极；
在所述源电极、所述漏电极和所述绝缘膜上形成半导体膜，所述 半导体膜具有沟道形成区域，并且为氧化锌半导体材料；以及
使所述半导体膜经历通过使用微波生成的第二等离子体的处理 以形成栅绝缘膜。
2.根据权利要求1的方法，其中，所述微波具有2.45GHz的频率。
3.根据权利要求1的方法，其中，所述半导体器件是顶栅半导体 器件，其中所述栅绝缘膜形成在所述沟道形成区域之上。
4.根据权利要求3的方法，其中，所述栅绝缘膜包含选自氧化硅、 氮化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。
5.根据权利要求1的方法，其中，所述半导体膜的表面通过所述 第二等离子体的所述处理来氮化。
6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
通过以第一等离子体来处理衬底表面而形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成源电极和漏电极；
在所述源电极、所述漏电极和所述绝缘膜上形成半导体膜，所述 半导体膜具有沟道形成区域，并且为氧化锌半导体材料；以及
使所述半导体膜经历通过使用微波生成的第二等离子体的处理， 以形成栅绝缘膜，所述第二等离子体具有1×1011～1×1013/cm3的电子 密度。
7.根据权利要求6的方法，其中，所述半导体器件是顶栅半导体 器件，其中所述栅绝缘膜形成在所述沟道形成区域之上。
8.根据权利要求7的方法，其中，所述栅绝缘膜包含选自氧化硅、 氮化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。
9.根据权利要求6的方法，其中，所述半导体膜的表面通过所述 第二等离子体的所述处理来氮化。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
通过以第一等离子体来处理衬底表面而形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成源电极和漏电极；
在所述源电极、所述漏电极和所述绝缘膜上形成半导体膜，所述 半导体膜具有沟道形成区域，并且为氧化锌半导体材料；以及
以氮化气氛的第二等离子体来处理所述半导体膜的表面而形成 栅绝缘膜。
11.根据权利要求10的方法，其中，所述半导体器件是顶栅半导 体器件，其中所述栅绝缘膜形成在所述沟道形成区域之上。
12.根据权利要求11的方法，其中，所述栅绝缘膜包含选自氧化 硅、氮化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。
13.根据权利要求10的方法，其中，所述半导体膜的表面通过所 述第二等离子体的所述处理来氮化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
