[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

半导体衬底，具有形成第一M I S F E T的第一区域和形成第一 电容元件的第二区域；

沟槽，形成于所述半导体衬底并埋入了绝缘体；

第一有源区域，形成于所述半导体衬底的所述第一区域，且由上 述沟槽规定；

第一栅电极，形成于所述第一有源区域上；

第一绝缘膜，形成于上述半导体衬底上以覆盖所述第一栅电极， 且上表面已被平坦化；以及

由所述第一绝缘膜的上层的第一布线层形成于所述第二区域的 第一金属图案、第二金属图案、和设置于所述第一金属图案和第二金 属图案外围且与固定电位连接的第三金属图案；

所述半导体器件的特征在于，

所述第一金属图案形成所述第一电容元件的一个电极，所述第二 金属图案形成所述第一电容元件的另一个电极，

在所述第一电容元件下方的所述半导体衬底的所述第二区域上 形成有由所述沟槽规定的多个第二有源区域，

在所述第一电容元件下方的所述半导体衬底的所述第二区域上， 形成有与所述第一栅电极同层的多个第一导体图案，

所述多个第一导体图案和所述多个第二有源区域与所述第三金 属图案电连接，

所述多个第一导体图案分别形成在上述绝缘体上，

在俯视观察时，所述多个第二有源区域配置成不与所述第一金属 图案和所述第二金属图案重合。

2.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第一导体图案是与所述第一栅电极同层的导体图案，不具备 栅电极的功能。

3.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第一导体图案配置于所述第一电容元件的下方，不与所述第 一金属图案和所述第二金属图案平面重合。

4.根据权利要求3所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第三金属图案是用于屏蔽所述第一电容元件的金属图案。

5.根据权利要求1所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第一金属图案具有沿第一方向延伸的多个第一导体部在与 所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一连接部被连接的图案形 状；所述第二金属图案具有沿所述第一方向延伸且分别配置于所述多 个第一导体部之间的多个第二导体部在沿所述第二方向延伸的第二 连接部被连接的图案形状。

6.根据权利要求5所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第二有源区域被配置于所述第二区域，且分别在所述第一方 向上延伸。

7.根据权利要求6所记载的半导体器件，其特征在于，

还具有配置于所述第二区域的所述第三金属图案之下并由所述 沟槽规定的第三有源区域，该第三有源区域经由第一连接导体部与所 述第三金属图案电连接，该第一连接导体部被埋入形成于所述第一绝 缘膜的第一开口部。

8.根据权利要求7所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第三有源区域平面包围所配置的多个所述第二有源区域而 形成。

9.根据权利要求7所记载的半导体器件，其特征在于，

还具有第一半导体区域，该第一半导体区域形成于所述半导体衬 底的所述第二区域，并将所述第二有源区域和第三有源区域电连接。

10.根据权利要求5所记载的半导体器件，其特征在于，

多个所述第一导体图案被配置于所述第二区域，且分别在所述第 一方向上延伸。

11.根据权利要求10所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第一导体图案被配置于所述第一金属图案的所述第一导体 部和所述第二金属图案的所述第二导体部之间的平面位置上。

12.根据权利要求11所记载的半导体器件，其特征在于，

所述第一导体图案不与所述第一金属图案的所述第一导体部和 所述第二金属图案的所述第二导体部平面重合。