[发明专利]含有氨基苯磺酸的半水性溶脱和清洗组合物

说明书

背景技术

在半导体或半导体微电路的制造过程中，有必要从半导体器件基 板的表面除去某些物质。在某些情况中，要除去的物质是被称作光致 抗蚀剂(photoresists)的聚合的合成物。在其它情况中，要除去的物质 是蚀刻或灰磨处理的残留物或者仅是污染物。溶脱(strip)和/或清洗组 合物的目的是从半导体基板除去不需要的物质而不腐蚀、溶解或钝 化基板的暴露表面。

现有技术中有众多的涉及用于从半导体基板溶脱光致抗蚀剂和/ 或清洗蚀刻残留物、灰分或其它污染物的不同类型组合物的参考文 献。

这一技术领域中的专利包括Torii的US 5,972,862、Inoue的US 6,232,283B1、Mayhan的US 5,534,177、McGrady的US 4,321,166、 Jones的US 4,199,483、Borchert的US 3,653,931、Mey的US 4,215,005、 US 4,165,295和US 4,242,218。

发明内容

本发明涉及半水性溶脱和清洗组合物及其使用方法。该组合物包 含氨基苯磺酸、可与水混溶的有机溶剂和水。

在一种实施方式中，所述半水性溶脱和清洗组合物包含

a.0.5％至10％的氨基苯磺酸或其对应的盐，

b.30％至90％的可与水混溶的有机溶剂，和

c.5％至70％的水。

在另一种实施方式中，从半导体基板除去光致抗蚀剂、蚀刻和/ 或灰磨残留物或者污染物的方法包括：

使半导体基板与包含以下成分的组合物接触足以充分地除去光 致抗蚀剂、蚀刻和/或灰磨残留物或者污染物的一段时间：

a.0.5％至10％的氨基苯磺酸或其对应的盐，

b.30％至90％的可与水混溶的有机溶剂，和

c.5％至70％的水。

对于上述实施方式中的组合物和方法，氨基苯磺酸或其对应的盐 选自2-氨基苯磺酸、3-氨基苯磺酸、4-氨基苯磺酸及其混合物。

在另一种实施方式中，所述半水性溶脱和清洗组合物包含

a.0.5％至10％的2-氨基苯磺酸或其对应的盐，

b.30％至90％的可与水混溶的有机溶剂，和

c.5％至70％的水。

再在另一种实施方式中，从半导体基板除去光致抗蚀剂、蚀刻和 /或灰磨残留物或者污染物的方法包括：

使半导体基板与包含以下成分的组合物接触足以充分地除去光 致抗蚀剂、蚀刻和/或灰磨残留物或者污染物的一段时间：

a.0.5％至10％的2-氨基苯磺酸或其对应的盐，

b.30％至90％的可与水混溶的有机溶剂，和

c.5％至70％的水。

对于上述实施方式，可与水混溶的有机溶剂选自二醇醚、糠醇及 其混合物。更具体地，可与水混溶的有机溶剂选自丙二醇甲醚 (PGME)、丙二醇丙醚(PGPE)、三(丙二醇)单甲醚、2-(2-丁氧基乙氧基) 乙醇、四氢糠醇(THFA)及其混合物。

所述组合物可以进一步包含最多15％的选自有机酸、有机酸盐、 苯酚、三唑、羟胺衍生物、果糖、亚硫酸铵、2-氨基嘧啶、硫代硫酸 铵、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、二甲基乙酰基乙酰胺及其混 合物的腐蚀抑制剂。

所述组合物可以进一步包含最多10％的选自氢氧化四甲基铵 (TMAH)、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丁基铵(TBAH)、氢氧化四丙基 铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化(2-羟乙基)三甲基铵、氢氧化(2-羟 乙基)三乙基铵、氢氧化(2-羟乙基)三丙基铵、氢氧化(1-羟丙基)三甲 基铵、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵、氢氧化苯甲基 三甲基铵及其混合物的季铵化合物。

所述组合物优选具有6-11的pH值。

具体实施方式