[发明专利]发光二极体导线支架总成、其制造方法及该发光二极体

权利要求书

1.一种发光二极体导线支架总成制造方法，其特征在于，该方法包含下列步骤：

a)将一片形成有至少两个发光二极体导线支架的导线支架基板置于一组模具中，其中各该导线支架分别包括供至少一颗发光二极体晶粒电性连接的至少一对接触部、及供组装并电性连接该等接触部的至少两个接脚；

b)分别于对应该等导线支架位置处成型至少两个数目对应的基座，其中该等基座分别具有一个形成有暴露该等接触部的凹穴的环绕侧壁；

c)将该形成有至少两个基座的导线支架基板自模具中脱出；

d)以一组遮罩遮蔽该等接触部，并使该等环绕侧壁由与该等接触部间隔一个预定深度处起被暴露；

e)以干式镀法在该等环绕侧壁暴露处形成一层金属反射薄膜层；及

f)取走该组遮罩。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，更包含在该步骤b)前，将至少两个分别对应该等导线支架的散热元件置于该模具中的步骤g)，使得该等散热元件是供与该等发光二极体晶粒导热连接。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，更包含在步骤f)之后，分别将至少两个发光二极体晶粒以导热接触方式对应设置于该等散热元件的步骤h)；及置入该等发光二极体晶粒后，以透光材料封闭该等凹穴的步骤i)。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，更包含在步骤f)之后，在各该凹穴处分别对应该至少一对接触部置入至少一颗发光二极体晶粒的步骤j)；置入该至少一颗发光二极体晶粒后，将该等发光二极体晶粒与该等对应接触部打线电性连接的步骤k)；及随后，以透光材料封闭该等凹穴的步骤m)。

5.如权利要求1、2、3或4所述的制造方法，其特征在于，其中该步骤d)的该组遮罩并同时遮蔽各该基座的至少部分顶壁与外侧壁。

6.如权利要求1、2、3或4所述的制造方法，其特征在于，其中该步骤b)所制成的该等环绕侧壁更包括一组与该等接触部间隔一个预定深度的梯级，且该步骤d)是将该组遮罩遮蔽该等接触部处置放于该梯级位置。

7.一种发光二极体导线支架总成，其特征在于，该支架总成包含：

一片形成有至少两个发光二极体导线支架的导线支架基板，其中各该导线支架分别包括至少两个供发光二极体晶粒电性连接的接触部、及至少两个供组装并电性连接该等接触部的接脚；

至少两个分别对应成型在该等导线支架位置处、分别具有一个形成有暴露该等接触部的凹穴的平滑环绕侧壁的基座；

至少两个分别在各该凹穴的环绕侧壁暴露处成形的平滑金属反射薄膜层。

8.如权利要求7所述的一种发光二极体导线支架总成，其特征在于，该等环绕侧壁更包括

一组与该等接触部间隔一个预定深度的梯级。

9.如权利要求7或8所述的一种发光二极体导线支架总成，其特征在于，更包含至少两个分别被对应成型固定在该等基座的散热元件。

10.一种发光二极体，其特征在于，该二极体包含：

一组包括至少两个供发光二极体晶粒接触的接触部、及至少两个供组装并电性连接该等接触部的接脚的发光二极体导线支架；

一个基座，包括

一个形成有暴露该等接触部的凹穴、并包括一组与该等接触部间隔一个预定深度的梯级的环绕侧壁；及

一层成形在该环绕侧壁梯级以上部分的平滑金属反射薄膜层；

至少一颗电性连接该等接触部的发光二极体晶粒；及

一层封闭该基座环绕侧壁及该发光二极体晶粒的透光材料层。