[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

承载器；

第一凸起部，设置于所述承载器上，并具有第一开口以暴露出所述承载 器；

发光二极管芯片，设置于所述承载器上并位于所述第一开口中，且所述 第一开口的宽度与所述发光二极管芯片的宽度比值大于1且小于或等于1.5， 即所述发光二极管芯片的侧壁与所述第一开口的内壁之间存有间隙；以及

粘着层，设置于所述发光二极管芯片与所述承载器之间，以接合所述发 光二极管芯片与所述承载器。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第 一凸起部与所述承载器为一体成形，且所述第一凸起部的材料与所述承载器 的材料相同。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中部分所 述粘着层设置于所述间隙内。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发 光二极管封装结构还包括第一光学材料层，且所述第一光学材料层设置于所 述第一开口的内壁以及由所述第一开口所暴露出的所述承载器。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第 一光学材料层为反射层或吸光层。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发 光二极管封装结构还包括第一荧光材料层，所述第一荧光材料层设置于所述 第一开口内。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发 光二极管封装结构还包括透明材料层，所述透明材料层设置于所述第一开口 内。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发 光二极管封装结构还包括第二凸起部，所述第二凸起部设置于所述第一凸起 部上，且所述第二凸起部具有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相通 且所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述承 载器、所述第一凸起部与所述第二凸起部为一体成形且材料相同。

10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述 发光二极管封装结构还包括第二荧光材料层，所述第二荧光材料层设置于所 述第二开口内。

11.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，还包括第二光学材料层， 所述第二光学材料层设置于所述第二开口的内壁。

12.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述 第二光学材料层为反射层或吸光层。

13.一种发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，且所述基板具有凹槽；以及

配置粘着层与发光二极管芯片于所述凹槽的底部，且所述粘着层接合于 所述基板与所述发光二极管芯片之间，所述凹槽的宽度与所述发光二极管芯 片的宽度比值大于1且小于或等于1.5，即所述发光二极管芯片的侧壁与所 述凹槽的内壁之间存有间隙。

14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在 于，其中在配置所述粘着层与所述发光二极管芯片于所述凹槽的底部之前， 还包括形成光学材料层于所述凹槽的内壁。

15.如权利要求14所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在 于，其中所述光学材料层为反射层或吸光层。

16.如权利要求13所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在 于，还包括形成荧光材料层于所述凹槽中。