[发明专利]有机发光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种有机发光元件的制造方法，尤其指一种利用UV反应型氟碳膜做为缓冲层的有机发光元件的制造方法，以降低有机发光元件的操作电压及改善有机发光元件的稳定性。

背景技术

近年来，用于平面显示器的有机发光元件(OLED)备受嘱目，而有机发光元件的结构如图1所示，其包括：一基板101、一阳极102、一有机发光结构107、及一阴极106。其中，有机发光结构107依序包括有一有机空穴传输层103、一有机发光层104及一有机电子传输层105。换言之，有机发光层104配置于有机空穴传输层103与有机电子传输层105间，且有机发光层104的主要功能为限制或控制电子及空穴有效结合及发光。

当不同电位差施加于阳极102及阴极106，使得阳极是正电(相对于阴极)，阴极将注入电子进入电子传输层105，电子将跨越有机电子传输层105及有机发光层104。同时，空穴将由阳极注入进入有机空穴传输层103，空穴跨越有机空穴传输层103，最后与电子在接近有机空穴传输层103及有机发光层104的界面结合。当位移的电子由其导电带降落至价电带填补其空穴，能量以光的形式，光经由透明阳极及基板的方向朝观测者方向放出。

然而，对于有机发光装置的操作稳定性及操作电压仍有许多改善空间。传统阳极是由导电且透明的氧化物所构成，如氧化铟锡(ITO)。由于ITO具透明、良好导电性及高功函数等性质，目前已被广泛用于阳极接面。但当直接于ITO表面上形成有机发光结构时，往往会面临较差的电流-电压特性及操作稳定度。

为改善上述问题，目前已有研究显示，在ITO与有机发光结构之间导入一层介质，即所谓的缓冲层，可改善ITO的形态及空穴注入行为。其中，如铁氟龙(Telfon)(Y.Gao et al.，Appl.Phys.Lett.82，155(2003))、及CF_X(L.S.Hung et al.，Appl.Phys.Lett.78，673(2001))所形成的氟碳膜，均可做为缓冲层以改善ITO/有机界面的空穴注入。

以氟碳膜作为OLED的缓冲层，除了可改善ITO/有机半导体界面的空穴注入外，更能有效阻挡铟(In)由ITO扩散，进而降低元件劣化分解过程。然而，氟碳膜为一种绝缘膜，其会导致OLED元件产生较大的压降，故一般氟碳膜的厚度是介于1至3nm之间。然而，形成超薄氟碳膜的再现性极低，是为使用氟碳膜做为缓冲层所面临的问题之一。

目前已知聚对二甲苯Poly(para-xylylenes)(“PPX”)的氟衍生物可应用于氟碳高分子膜[-CX₂-C₆H_4-nZ_n-CX₂-]，如PPX-N(-CH₂-C₆H₄-CH₂-)、PPX-F(-CF₂-C₆H₄-CF₂-)及全氟PPX(-CF₂-C₆F₄-CF₂-)。然而，此类氟碳高分子膜的制作方法，是先将二聚物(-CX₂-C₆H_4-nZ_n-CX₂-)₂汽化，经输送系统流经一针阀后，再进入高温热裂解器裂解二聚物以形成自由基。接着，利用分馏装置分离其它裂解副产物，并利用流量控制器(VFC)控制中间物浓度，以避免中间物再聚合形成二聚物。最后，将最终中间物单体自由基气体导入沉积腔体(附冷凝器)进行成膜。然而，上述成膜系统价格昂贵，反应器需清洗(因转移聚合(transfer polymerization)加热反应器会产生焦碳)，且二聚物原料价格昂贵。因此，是为使用氟碳膜做为缓冲层所面临的另一问题。

有鉴于上述问题，目前亟需发展出一种简单、低成本及可信赖的过程来制备氟碳膜，以制备出具有良好再现性的有机发光装置用的氟碳膜。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机发光元件的制造方法，由涂布及UV照射一含溴氟碳前趋物，能以简单的工艺制作氟碳高分子膜，以改善有机发光装置的操作稳定度及增进其电流强度。