[发明专利]有机发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种有机发光元件的制造方法，包括下列步骤：

(a)提供一基板，其表面形成有一阳极；

(b)涂布一含溴氟碳前趋物于该阳极上，并利用一紫外光照射固化该含溴氟碳前趋物，以形成一氟碳高分子膜；

(c)于该氟碳高分子膜上形成一有机发光结构；以及

(d)于该有机发光结构上形成一阴极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，该含溴氟碳前趋物为Br-CF₂-C₆H₄-CF₂-Br、Br-CF₂-C₆F₄-CF₂-Br或其混合物。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中，该氟碳高分子膜的材料为氟化苯环碳氢聚合物。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中，该氟碳高分子膜的结构如下式1所示：

(-CF₂-C₆X₄-CF₂-)_n    (1)

其中，X为H或F，且n为大于或等于1的整数。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中，该基板为一绝缘基板。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中，该基板为一透明基板或一不透明基板。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中，该透明基板是由玻璃或塑料所制成。

8.如权利要求6所述的制造方法，其中，该不透明基板是由陶瓷或半导体材料所制成。

9.如权利要求1所述的制造方法，其中，该阳极为一光透明的导电层。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中，该阳极是由功函数大于4.0eV的金属或功函数大于4.0eV的金属化合物所制成。

11.如权利要求1所述的制造方法，其中，该阴极的功函数小于4.0eV。

12.如权利要求1所述的制造方法，其中，该氟碳高分子膜的厚度介于5nm至40nm范围内。

13.如权利要求1所述的制造方法，其中，该氟碳高分子膜的厚度介于8nm至30nm范围内。

14.如权利要求1所述的制造方法，其中，该紫外光的波长介于150nm至350nm范围内。

15.如权利要求1所述的制造方法，其中，该紫外光的波长介于190nm至270nm范围内。

16.如权利要求1所述的制造方法，其中，该紫外光的强度介于0.01watts/cm²至10watts/cm²范围内。

17.如权利要求1所述的制造方法，其中，该紫外光的总曝光量至少为300mJ/cm²。

18.如权利要求1所述的制造方法，其中，该有机发光结构包括一有机空穴传输层、一有机发光层、及一有机电子传输层；其中该有机空穴传输层是形成在该氟碳高分子膜上，该有机发光层是形成在该有机空穴传输层上，该有机电子传输层是形成在该有机发光层上，且该有机发光层位于该有机空穴传输层与该有机电子传输层间。

19.如权利要求18所述的制造方法，其中，该空穴传输层的材料包括一芳香三级胺化合物。

20.如权利要求18所述的制造方法，其中，该电子传输层的材料包括一金属螯合类羟基喹啉化合物。