[发明专利]一种半导体元件结构

权利要求书

1.一种半导体元件结构，其特征在于其包含：

一基板；以及

一图案化层，经图案化而具有设置在该基板上的开放区及密集区，该密集区包含一第一图案，其邻接于该开放区，及一第二图案，

其中，该第一图案具有一第一底部宽度，第二图案具有一第二底部宽度，该第一图案的底部包含一面对该开放区的凹处，该第一底部宽度与该第二底部宽度满足以下条件：

2.根据权利要求1所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的第一底部宽度及第二底部宽度相等。

3.根据权利要求1所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的第一图案更具有介于其顶部和底部之间的一中间部分的一中间宽度，其中该中间宽度是该第一图案的最大宽度。

4.根据权利要求1所述的一种半导体元件结构，其特征在于其更包含设置在该基板与该图案化层之间的一介电层。

5.根据权利要求4所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的介电层包含氧化硅-氮化硅-氧化硅复合层。

6.根据权利要求1所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的图案化层是一堆叠结构，包含依序设置在该基板上的浮动栅极、栅极间介电层、控制栅极，更包含在该基板与该浮动栅极之间的隧穿介电层。

7.一种半导体元件结构，其特征在于其包含：

一基板；以及

一图案化层，设置在该基板上，其具有一第一图案、一第二图案及一第三图案，其中该第一图案是在该第二图案与该第三图案之间，该第一图案与该第二图案之间的距离小于该第一图案与该第三图案之间的距离，该第一图案及该第三图案分别具有彼此面对的一第一底部宽部、一中间宽度及一底部的凹处，该第一、第三图案的该第一底部宽度分别小于该第一、第三图案的该中间宽度，且该第一、第三图案的该第一底部宽度与该第二图案的第二底部宽度至少满足以下条件的其中之一：

8.根据权利要求7所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的第一底部宽度与该第二底部宽度相等。

9.根据权利要求7所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的第一图案的中间宽度及该第二图案的中间宽度分别是该第一图案及该第三图案的最大宽度。

10.根据权利要求7所述的一种半导体元件结构，其特征在于其更包含设置在该基板与该图案化层之间的一介电层。

11.根据权利要求10所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的介电层包含氧化硅-氮化硅-氧化硅复合层。

12.根据权利要求7所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的图案化层是一堆叠结构，包含依序设置在该基板上的浮动栅极、栅极间介电层、控制栅极，更包含在该基板与该浮动栅极之间的隧穿介电层。

13.一种半导体元件结构，其特征在于其包含：

一基板；以及

一图案化层，设置在该基板上，具有一开放区及一密集区，其包含设置在该密集区中的一第一图案，该第一图案邻接于该开放区，其中该第一图案具有一面对该密集区的平坦表面及一面对该开放区的不平坦表面；

其中所述的第一图案的底部包含一面对该开放区的凹处，使得该第一图案的底部宽部小于该第一图案的中间宽度。

14.根据权利要求13所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的图案化层更包含多个在密集区中第一图案旁的第二图案，每一该些第二图案具有平坦表面。

15.根据权利要求13所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的第一图案的底部包含一面对开放区的凹处，使得该第一图案的底部宽部与每一该些第二图案的底部宽度满足以下条件：

16.根据权利要求13所述的一种半导体元件结构，其特征在于其更包含设置在该基板与该图案化层之间的一介电层。

17.根据权利要求16所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的介电层包含一个氧化硅-氮化硅-氧化硅复合层。

18.根据权利要求13所述的一种半导体元件结构，其特征在于其中所述的图案化层是一堆叠结构，包含依序设置在该基板上的浮动栅极、栅极间介电层、控制栅极，更包含在该基板与该浮动栅极之间的隧穿介电层。