[发明专利]一种多晶硅铸锭用坩埚涂层以及制备方法有效
| 申请号: | 200910115095.0 | 申请日: | 2009-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN101508590A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
| 发明(设计)人: | 吕兴栋;万跃鹏;尚召华;胡动力;何亮 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B41/85;C30B29/06;C01B33/02;C04B35/584 |
| 代理公司: | 江西省专利事务所 | 代理人: | 杨志宇 |
| 地址: | 338000江西省新余市高*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多晶 铸锭 坩埚 涂层 以及 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:所述的涂层的原料配方中固含量包含80-99% 重量比的氮化硅,1-20%重量比的含硅元素的包膜剂,经烧结后成型的涂层中总氧含量为 0.2-4.9%重量比;所述的含硅元素的包膜剂是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、适 于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体其中的任意一种;其中多晶硅铸锭用坩埚涂层 的制备方法如下:
(1)、称取一定量的氮化硅粉体颗粒,加入去离子水或去离子水与乙醇的混合溶液中,搅拌 分散均匀备用;
(2)、向上述悬浮液中加入含硅元素的包膜剂,搅拌溶解后滴加酸性溶液将悬浮液pH调整到 1.0-5.0,然后将反应温度设置到20~100℃,在连续搅拌状态下反应1~3小时后得到二氧 化硅包覆的氮化硅悬浮液;
(3)、采用喷涂工艺将悬浮液喷入坩埚内表面,然后放入烘烤炉中进行烧结,冷却至室温后 从烧结炉取出坩埚,完成多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:所述的坩埚为石英陶瓷坩 埚。
3.如权利要求1所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:氮化硅涂层的厚度为 100μm-800μm。
4.如权利要求1所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:所述的含硅元素的包膜剂 是含有硅酸根离子SiO32-的无机化合物。
5.如权利要求4所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:含有硅酸根离子SiO32-的 无机化合物是硅酸钠。
6.如权利要求1所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:所述的酸性溶液为含有羧 基的有机酸。
7.如权利要求1所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层,其特征在于:所述的氮化硅粉体颗粒的 粒径为100nm~1.0μm,或是粒径<100nm的颗粒与粒径为10nm~5.0μm的颗粒的混合,其 中粒径<100nm的颗粒的重量比为0-30%。
8.多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法,其特征在于:所述的涂层的原料配方中固含量包含 80-99%重量比的氮化硅,1-20%重量比的含硅元素的包膜剂,经烧结后成型的涂层中总氧含量 为0.2-4.9%重量比;所述的含硅元素的包膜剂是二氧化硅、原硅酸四乙酯、四乙氧基硅烷、 适于形成悬浮体的氧化硅纳米颗粒、氧化硅胶体其中的任意一种;其中多晶硅铸锭用坩埚涂 层的制备方法如下:
(1)、称取一定量的氮化硅粉体颗粒,加入去离子水或去离子水与乙醇的混合溶液中,搅拌 分散均匀备用;
(2)、向上述悬浮液中加入含硅元素的包膜剂,搅拌溶解后滴加碱性溶液将悬浮液pH调整到 8.0-11.0,然后将反应温度设置到20~100℃,在连续搅拌状态下反应1~3小时后得到二氧 化硅包覆的氮化硅悬浮液;
(3)、采用喷涂工艺将悬浮液喷入坩埚内表面,然后放入烘烤炉中进行烧结,冷却至室温后 从烧结炉取出坩埚,完成多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备。
9.如权利要求8所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法,其特征在于:所述的碱性溶 液是胺类化合物。
10.如权利要求8所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法,其特征在于:步骤(3)中 所述的喷涂工艺的步骤为:将坩埚放置于可旋转的喷涂架上;一边旋转坩埚,一边用喷枪将 氮化硅悬浮液均匀地涂敷在坩埚的内表面上。
11.如权利要求8所述的一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法,其特征在于:步骤(3)中 所述的烧结的操作步骤为:将喷涂好的坩埚置于烧结炉内,在空气气氛下进行烧结;在 500℃-1200℃温度下保温1-5小时。
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