[发明专利]一种高性能K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷无效
| 申请号： | 200910114460.6 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101747038A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 江民红;刘心宇;邓满姣;唐焕丽 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 罗玉荣 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 sub 0.5 na nbo lisbo bisco 压电 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1.一种K0.5Na0.5NbO3–LiSbO3–BiScO3无铅压电陶瓷的制备方法，包括湿磨、烘干、烧成、二次球磨、造粒、压制成型、烧结、打磨、披银和硅油中极化，其特征是：它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3；在烧结时以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结，烧结后，随炉冷却至室温；
所述K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3的组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3–x LiSbO3–yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中,0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。
2.用权利要求1所述方法制备的一种高性能的K0.5Na0.5NbO3–LiSbO3–BiScO3无铅压电陶瓷。
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