[发明专利]LED封装模块及其制备方法

权利要求书

1.一种LED封装模块，包括基板和LED芯片，其特征在于：该基板具有固晶面和布线面，所述固晶面与所述布线面平行设置，所述固晶面之高度底于所述布线面，所述固晶面与所述布线面之间设有反射过渡面；所述LED芯片设置于所述固晶面，所述固晶面与所述LED芯片之间还具有一热沉层，所述热沉层的材料为AuSn合金，其中Au的含量为1%-10%,Sn的含量为90%-99%，所述热沉层的厚度为0.001mm-0.05mm。

2.根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于：所述AuSn合金的组分为，Au含量为4%-9%，Sn的含量为91%-96%，所述热沉层的厚度为0.005mm-0.02mm。

3.根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于：以AgSn合金代替AuSn合金，且Ag的含量为1%-25%，Sn的含量为75%-99% 。

4.根据前述任意一项权利要求所述的LED封装模块，其特征在于：所述LED芯片表面还设置一荧光层。

5.根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于：所述布线面设置于所述基板的顶面，所述反射过渡面有二个，二个反射过渡面分别设置在所述固晶面的二侧，所述固晶面与所述反射过渡面组成一长条状的沟槽。

6.根据权利要求5所述的LED封装模块，其特征在于：所述二个反射过渡面均为平面，对称地设置于所述固晶面的二侧。

7.根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于：所述AuSn合金的组分为，Au含量为6%，Sn的含量为94%，所述热沉层的厚度为0.01mm；所述LED芯片表面还设置一荧光层；所述布线面设置于所述基板的顶面，所述反射过渡面有二个，二个反射过渡面分别设置在所述固晶面的二侧，所述固晶面与所述反射过渡面组成一长条状的沟槽；所述二个反射过渡面均为平面，对称地设置于所述固晶面的二侧。

8.根据权利要求1所述的LED封装模块，其特征在于：以AgSn合金代替AuSn合金，且Ag的含量为9%，Sn的含量为91%；所述热沉层的厚度为0.01mm；所述LED芯片表面还设置一荧光层；所述布线面设置于所述基板的顶面，所述反射过渡面有二个，二个反射过渡面分别设置在所述固晶面的二侧，所述固晶面与所述反射过渡面组成一长条状的沟槽；所述二个反射过渡面均为平面，对称地设置于所述固晶面的二侧。

9.一种LED封装模块的制备方法，用于权利要求1所述的LED封装模块的制作，该方法包括固晶工序，其特征在于，该固晶工序包括以下步骤：

（1）设置热沉层，

（2）放置LED芯片，

（3）焊接，

（4）冷却，

其中，

第（1）步所述的设置热沉层采用真空溅射的方式；所述热沉层的材料为AuSn合金，其中Au含量为4%-9%，Sn的含量为91%-96%，所述热沉层的厚度为0.005mm-0.02mm；

第（2）步所述的放置LED芯片是将LED芯片置于热沉层上；

第（3）步所述的焊接，是指将第（2）步制成的半成品过焊接炉，焊接炉的温度为250°C-300°C；

第（4）步所述的冷却是指常温风冷却。