[发明专利]取暖墙无效

专利信息
申请号: 200910108045.X 申请日: 2009-06-09
公开(公告)号: CN101922755A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 姜开利;刘亮;冯辰;潜力;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: F24D13/00 分类号: F24D13/00;H04R23/00;E04F13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清华园1*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 取暖
【权利要求书】:

1.一种取暖墙,其包括一墙体,该墙体具有一表面,其特征在于,所述取暖墙还包括至少一第一电极、至少一第二电极及一热致发声元件,所述第一电极、第二电极及热致发声元件设置在所述墙体的表面,所述第一电极及第二电极相互间隔且分别与所述热致发声元件电连接。

2.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述墙体的表面包括平面、曲面或折面。

3.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述墙体的表面具有多个微结构,所述热致发声元件直接设置于该墙体具有多个微结构的表面。

4.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述热致发声元件通过所述第一电极及第二电极与墙体的表面间隔设置。

5.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述墙体的表面与热致发声元件之间进一步包括一反射元件,该反射元件与所述热致发声元件间隔设置。

6.如权利要求5所述的取暖墙,其特征在于,所述反射元件对红外辐射的反射率大于百分之三十。

7.如权利要求5所述的取暖墙,其特征在于,所述反射元件与热致发声元件之间进一步包括一绝缘层,该绝缘层面向热致发声元件的表面包括多个微结构,所述热致发声元件直接设置于绝缘层具有多个微结构的表面。

8.如权利要求3或权利要求7所述的取暖墙,其特征在于,所述微结构为凹面、盲孔或通孔。

9.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述取暖墙进一步包括一功率放大器,该功率放大器用于将接收的音频电信号功率放大为放大电压信号,并驱动该热致发声元件发声。

10.如权利要求9所述的取暖墙,其特征在于,所述墙体具有一容置空间用于容置所述功率放大器。

11.如权利要求1所述的取暖墙,提特征在于,所述取暖墙进一步包括一保护结构,该保护结构设置在该热致发声元件与所述墙体相背的一侧且与该热致发声元件间隔设置。

12.如权利要求11所述的取暖墙,其特征在于,所述保护结构为网状结构。

13.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述热致发声元件的单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文。

14.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述热致发声元件至少部分悬空设置。

15.如权利要求1所述的取暖墙,其特征在于,所述热致发声元件为一碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜、至少一碳纳米管线状结构或其组合。

16.如权利要求15所述的取暖墙,其特征在于,所述碳纳米管膜或碳纳米管线状结构包含多个大致平行的碳纳米管,相邻的碳纳米管由范德华力结合。

17.如权利要求15所述的取暖墙,其特征在于,所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管通过范德华力首尾相连且沿同一方向择优取向排列。

18.如权利要求15所述的取暖墙,其特征在于,所述热致发声元件的厚度为0.5纳米~100微米。

19.一种取暖墙,其包括一墙体,该墙体具有一表面,其特征在于,所述取暖墙还包括至少一第一电极、至少一第二电极及一热致发声元件,所述第一电极、第二电极及热致发声元件设置在所述墙体的表面,所述第一电极及第二电极分别设置在所述热致发声元件相对的两端且分别与所述热致发声元件电连接,所述热致发声元件为一碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括多个碳纳米管大致平行排列,所述碳纳米管结构中碳纳米管的轴向基本沿第一电极至第二电极方向延伸。

20.如权利要求19所述的取暖墙,其特征在于,所述取暖墙包括多个第一电极及多个第二电极,该多个第一电极与多个第二电极交替地间隔设置,多个第一电极串联,多个第二电极串联。

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