[发明专利]芯片封装结构及其基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装技术，尤其涉及一种芯片封装结构及其基板处理方法。

背景技术

在电子产品功能不断增加而体积又必须轻薄短小的趋势下，芯片的体积也必须轻薄短小，从而芯片的封装已成为封装产业普遍面对的挑战。

请参照图1，揭示了一种现有芯片封装结构100。所述芯片封装结构100包括基板10、多个金手指20、金属焊垫30及芯片60。基板10设有多个贯孔11，多个贯孔11的内壁12电镀有铜，里面充满黏着剂52。多个金手指20设置于基板10上。金属焊垫30与多个金手指20设置于基板10的同一表面上。芯片60通过黏着剂51固定于金属焊垫30之上，其经由多个焊线40电性连接于多个金手指20。

然而，因黏着剂51直接附在金属焊垫30上而与基板10之间没有结合，这样的封装结构在通过回焊炉(Reflow)时，黏着剂51受热很容易与金属焊垫30分离，从而导致封装失效。

发明内容

有鉴于此，需提供一种改善黏着剂分层的芯片封装结构。

此外，还需提供一种改善黏着剂分层的芯片封装基板处理方法。

本发明实施方式中提供的芯片封装结构，包括基板及芯片。基板上设有多个贯孔，多个贯孔的内壁及基板的两表面镀有铜，多个贯孔内充满黏着剂，多个贯孔之间的基板表面镀铜被部分蚀刻掉。芯片通过黏着剂固定于基板上，所述黏着剂与所述镀铜被蚀刻的基板表面具有较好的结合力。

本发明实施方式中提供的芯片封装基板处理方法，以加强芯片与基板的结合力，所述方法包括以下步骤：在基板上制造多个贯孔；在多个贯孔的内壁电镀铜；在多个贯孔内填充黏着剂；在基板的两表面电镀铜；在基板不需要蚀刻的镀铜表面镀镍和金；及部分蚀刻基板未镀镍和金的镀铜表面；其中，所述镀铜被蚀刻的基板表面与黏着芯片的黏着剂具有较好的结合力，从而改善芯片封装过程中的热应力和黏着剂分层。

在本发明芯片封装结构及其基板处理方法中，由于镀铜被蚀刻的基板表面与黏着芯片的黏着剂具有较好的结合力，从而改善芯片封装过程中的热应力和黏着剂分层。

附图说明

图1是现有芯片封装结构的剖视示意图。

图2是本发明芯片封装结构一实施方式的剖视示意图。

图3是本发明芯片封装基板处理方法一实施方式的流程图。

具体实施方式

图2是本发明的芯片封装结构1000的剖视示意图。本发明的芯片封装结构1000包括基板100及芯片600。基板100上设有多个贯孔110，多个贯孔110的内壁120及基板100的第一表面130与第二表面140镀有铜，多个贯孔110内充满黏着剂520，多个贯孔110之间的基板表面310的镀铜被部分蚀刻掉。芯片600通过黏着剂510固定于基板100上，所述黏着剂510与所述镀铜被蚀刻的基板表面310具有较好的结合力。

在本实施方式中，基板100为印刷电路板，黏着剂510、520为银胶。在其它实施方式中，黏着剂510、520也可以采用其它适当的黏着剂。

在本实施方式中，在第一表面130上未被蚀刻的铜表面即成为多个金手指200及有多个间隙310的金属焊垫300。多个金手指200分布于金属焊垫300的外围。金属焊垫300的厚度等于多个金手指200的厚度。金属焊垫300的部分间隙310设于多个贯孔110之间，从而保证了黏着剂510与基板100的接触面，使之产生良好的结合力。金属焊垫300的其它部分，包括多个贯孔110的镀铜内壁120，与黏着剂510则充分接触，以保证芯片600的散热。

芯片600通过黏着剂510固定于金属焊垫300之上，并经由多个焊线400电性连接至多个金手指200。其中，金属焊垫300的长度和宽度大于芯片600的长度和宽度。在本实施方式中，芯片600与金属焊垫300之间充满黏着剂510，且金属焊垫300的间隙310中也充满黏着剂510。

在本发明实施方式中，通过金属焊垫300的间隙310可以增强黏着剂510与基板100的结合力，减少热应力，从而改善黏着剂510与金属焊垫300分层。

图3是本发明芯片封装基板处理方法一实施方式的流程图。本发明芯片封装基板处理方法用于加强芯片600与基板100的结合力。

在步骤S300，在基板100上制造多个贯孔110。

在步骤S302，在多个贯孔110的内壁120电镀铜。

在步骤S304，在多个贯孔110内填充黏着剂520。在本实施方式中，黏着剂520为银胶。

在步骤S306，在基板100的第一表面130与第二表面140电镀铜。