[发明专利]一种半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括第一电极、第二电极、外延层和衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底第一表面形成有外延层，外延层的上表面形成有第一电极，其特征在于，所述衬底包括基板和分布于基板中的导通电极，所述外延层电连接于衬底第一表面中的导通电极上，所述第二电极电连接于衬底第二表面中的导通电极上。

2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述导通电极的分布形状为网状。

3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，所述网状导通电极的网格形状是正方形或者长方形或者三角形或者六边形或者圆形或者椭圆形或者任意多边形。

4.如权要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述导通电极的分布成一根长条或者若干平行的长条。

5.如权利要求1至4任意项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述基板的厚度大于或等于导通电极的厚度。

6.如权利要求1至4任意项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述外延层包括n型半导体层、形成于n型半导体层上的发光半导体层和形成于发光半导体层上的p型半导体层，所述第一电极与P型半导体层电连接。

7.如权利要求1至4任意项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述外延层包括p型半导体层、形成于p型半导体层上的发光半导体层和形成于发光半导体层上的n型半导体层，所述第一电极与n型半导体层电连接。

8.一种半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、去除基板的至少一部分，以在基板的第一面上提供一沟槽；

B、沉积导通电极，使得该导通电极材料填平所述沟槽，形成衬底的第一表面，所述衬底还包括与第一表面相对的第二表面；

C、在衬底的第一表面上外延生长外延层；

D、在外延层上沉积透明电极并制作第一电极；

E、除去衬底第二表面的部分或者全部基板，以露出导通电极，并在露出的导通电极上制作第二电极。

9.如权利要求8所述的半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述B步骤还包括，除去所述基板第一面和/或沟槽上多余导通电极材料，使衬底的第一表面平整且露出导通电极材料。

10.如权利要求8或9所述的半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述基板中沟槽形成长条状或者网格状。

11.如权利要求8或9所述的半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的平均深度为2～200微米、平均宽度为3～20微米。

12.如权利要求8或9所述的半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤E中采取打孔的方式除去基板。

13.如权利要求8或9所述的半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述步骤E中采取研磨的方式除去基板。