[发明专利]ITO膜的加工方法及电子设备

说明书

【技术领域】

本发明涉及透明导电膜的加工工艺领域，尤其是ITO膜的加工方法及采用 该ITO膜的加工方法制成的电子设备。

【背景技术】

掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide，简称ITO)材料是一种n型半导体材料， 由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性，因此 它是液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、 触摸屏(Touch Panel)、太阳能电池以及其它电子仪表的透明电极最常用的材料。 根据不同的应用，ITO膜需要被加工成不同的形状。

传统的ITO膜的加工一般采用掩膜和化学药品进行蚀刻的方法，在这个加 工过程中会存在有一些问题：

1)高投资成本；

2)需要较多的步骤进行加工，耗时不灵活；

3)由于需要使用化学药品，会对环境造成污染。

因此对于传统加工方法存在的一些弊端需要进行改良，采用全新的加工方 式进行加工。

【发明内容】

有鉴于此，有必要提供一种避免对环境造成污染的ITO膜的加工方法。

一种ITO膜的加工方法，包括以下步骤：将附有ITO膜的基底放置在加工 台面上，所述ITO膜朝向所述台面并在ITO膜与所述台面之间设置间隙；所述 间隙的高度为4-6mm；从所述基底所在的一侧发射激光对所述ITO膜进行加工； 在所述间隙处吸尘，在台面上开设通孔，使通孔与间隙相通并在通孔处抽风达 到吸尘的效果；所述激光的波长为100-400nm，激光的脉冲频率为120-150KHz， 激光的脉冲宽度为3us，激光的功率为1.5-2.0W，激光的开关延时为20-80us， 激光的切割速度为180-250mm/s。

优选地，所述激光的波长为355nm。

优选地，所述激光的脉冲频率为150KHz。

优选地，所述激光的脉冲宽度为3us。

优选地，所述激光的功率为1.5W。

优选地，所述激光的开关延时50us。

优选地，所述激光的切割速度为200mm/s。

此外，还提供了一种包含采用上述ITO膜的加工方法制备的透明电极的电 子设备。

采用激光加工的方法，不需要使用化学药品，可以避免对环境造成污染， 并且采用激光技术进行ITO膜加工便可以实现快速制造的目的。

【附图说明】

图1为激光加工ITO膜的示意图。

【具体实施方式】

在以下实施方式中，采用激光加工的方法，不需要使用化学药品，避免对 环境造成污染。

结合参阅图1，一种ITO膜的加工方法，包括以下步骤：将附有ITO膜10 的基底20放置在加工台面30上，ITO膜10朝向台面30并在ITO膜10与台面 30之间设置间隙40；从基底20所在的一侧发射激光50对ITO膜10进行加工。

基底20可以是玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate， 简称PET)等。

在ITO膜10与台面30之间设置间隙40，例如通过治具将基底20垫起来使 台面30和ITO膜10之间保持一定的距离，便于在激光加工的过程中在间隙处 吸尘。比如在台面30上开设通孔，使通孔与间隙相通并在通孔处抽风达到吸尘 的效果，从而避免ITO膜10脏污。本实施方式中，间隙的高度为4-6mm。

ITO膜10朝向台面30，从基底20所在的一侧发射激光50对ITO膜10进 行加工，这样设置的目的可以避免激光50伤到玻璃基底20。经过测试当ITO膜 10背向台面30放置加工时，由于激光50会穿过ITO膜10并且透过玻璃基底 20与激光机台面30进行作用，产生的热量会伤到玻璃基底20。当ITO膜10朝 向台面30放置加工时，由于激光50会透过玻璃基底20而不会与玻璃基底20 发生作用，这样便不会伤到玻璃基底20，激光50可以直接作用到ITO膜10上， 即便少量激光50透过玻璃基底20与ITO膜10后与激光机台面30进行作用时， 由于ITO膜10与台面30保持一定的距离，便于热量与烟尘扩散，不会污损ITO 膜10。并且通过吸尘，无需清洗ITO膜10的表面，提高生产效率。