[发明专利]ITO膜的加工方法及电子设备有效
| 申请号： | 200910105852.6 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101569958A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 高云峰;翟学涛;高子丰;雷群 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司;深圳市大族数控科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾旻辉 |
| 地址： | 518000广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 加工 方法 电子设备 | ||
1.一种ITO膜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
将附有ITO膜的基底放置在加工台面上，所述ITO膜朝向所述台面并在ITO 膜与所述台面之间设置间隙；
所述间隙的高度为4-6mm；
从所述基底所在的一侧发射激光对所述ITO膜进行加工；
在所述间隙处吸尘，在台面上开设通孔，使通孔与间隙相通并在通孔处抽 风达到吸尘的效果；
所述激光的波长为100-400nm，激光的脉冲频率为120-150KHz，激光的脉 冲宽度为3us，激光的功率为1.5-2.0W，激光的开关延时为20-80us，激光的切 割速度为180-250mm/s。
2.根据权利要求1所述的ITO膜的加工方法，其特征在于，所述激光的波 长为355nm。
3.根据权利要求1所述的ITO膜的加工方法，其特征在于，所述激光的脉 冲频率为150KHz。
4.根据权利要求1所述的ITO膜的加工方法，其特征在于，所述激光的功 率为1.5W。
5.根据权利要求1所述的ITO膜的加工方法，其特征在于，所述激光的开 关延时50us。
6.根据权利要求1所述的ITO膜的加工方法，其特征在于，所述激光的切 割速度为200mm/s。
7.一种包含采用权利要求1至6中任意一项所述的ITO膜的加工方法制备 的透明电极的电子设备。
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