[发明专利]半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置无效
| 申请号： | 200910098527.1 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101887944A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 冯建明 | 申请（专利权）人： | 冯建明 |
| 主分类号： | H01L37/00 | 分类号： | H01L37/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 接触 四极管 电荷 密度 热电 转换 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置，其特征在于，它由二块N型半导体板和二块P型半导体板相互接触构成。
2.根据权利要求1所述的半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置，其特征在于，N型半导体板(1)与N型半导体板(3)的形状和大小一样，P型半导体板(2)与P型半导体板(4)的形状和大小一样。
3.根据权利要求1所述的半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置，其特征在于，N型半导体板(1)与N型半导体板(3)的材料为同一种N型半导体材料，P型半导体板(2)与P型半导体板(4)的材料为同一种P型半导体材料。
4.根据权利要求1所述的半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置，其特征在于，N型半导体板(1)的右表面与P型半导体板(2)的左表面接触在一起，P型半导体板(2)的右表面与N型半导体板(3)的左表面接触在一起，N型半导体板(3)的右表面与P型半导体板(4)的左表面接触在一起。
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