[发明专利]液晶显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示器和制造显示器的方法，尤其是一种液晶显示器及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极，彩膜基板上形成有黑矩阵、彩色树脂和公共电极，通过控制阵列基板的像素电极与彩膜基板的公共电极之间的电压差使液晶分子偏转，从背光源发射的光源通过液晶的调制形成不同灰度的光，从而显示不同的图像。

目前，现有液晶显示器通常需要利用背光源来进行显示。由于背光源的功耗占液晶显示器整体功耗的2/3以上，因此现有技术提出了一些利用感光器件根据环境光的强度调节背光源亮度以降低功耗的技术方案，但效果并不明显。此外，现有技术还提出了一些半透过半反射液晶显示器的技术方法，但均局限在单面显示。

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示器及其制造方法，通过半透过半反射像素结构实现双面显示。

为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器，包括对盒在一起并将液晶夹设其间的TFT-LCD阵列基板和彩膜基板，所述TFT-LCD阵列基板包括栅线、用于控制第一数据线向第一像素电极提供第一数据电压的第一薄膜晶体管和用于控制第二数据线向第二像素电极提供第二数据电压的第二薄膜晶体管，所述彩膜基板包括黑矩阵和彩色树脂，所述第一像素电极的位置与黑矩阵之间的彩色树脂的位置相对应，用于通过透射方式在彩膜基板一侧显示第一图像，所述第二像素电极与黑矩阵上的彩色树脂的位置相对应，用于通过反射方式在TFT-LCD阵列基板一侧显示第二图像。

所述第一像素电极位于像素区域的中部区域，所述第二像素电极位于第一像素电极的外围。

所述黑矩阵上设置有用于形成全反射或漫反射的反射层。

所述彩膜基板上还设置有公共电极。

在上述技术方案基础上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二源电极和第二漏电极。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示器制造方法，包括：

步骤1、分别制备TFT-LCD阵列基板和彩膜基板；所述TFT-LCD阵列基板包括栅线、用于控制第一数据线向第一像素电极提供第一数据电压的第一薄膜晶体管和用于控制第二数据线向第二像素电极提供第二数据电压的第二薄膜晶体管，所述彩膜基板包括黑矩阵、彩色树脂和公共电极；

步骤2、将所述TFT-LCD阵列基板和彩膜基板进行对合，所述第一像素电极的位置与彩色树脂的位置相对应，用于通过透射方式在彩膜基板一侧显示第一图像，所述第二像素电极与黑矩阵的位置相对应，用于通过反射方式在TFT-LCD阵列基板一侧显示第二图像。

所述步骤1中制备TFT-LCD阵列基板包括：

步骤11、在基板上通过构图工艺形成包括栅线、第一栅电极和第二栅电极的图形；

步骤12、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一数据线、第二数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图形；

步骤13、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形，所述第一过孔位于第一漏电极的上方，所述第二过孔位于第二漏电极的上方；

步骤14、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一像素电极和第二像素电极的图形，所述第一像素电极位于像素区域的中部区域，通过第一过孔与第一漏电极连接，所述第二像素电极位于第一像素电极的外围，通过第二过孔与第二漏电极连接。

所述步骤1中制备彩膜基板包括：

步骤21、在基板上形成黑矩阵和反射层图形，所述反射层位于黑矩阵上；

步骤22、在完成前述步骤的基板上形成彩色树脂图形，所述彩色树脂一部分形成在黑矩阵之间，另一部分形成在黑矩阵上。

本发明提供了一种液晶显示器及其制造方法，不需要背光源且可以双面显示。本发明液晶显示器的像素结构采用双像素结构，一个像素采用半透过设计，通过透射光进行显示，另一个像素采用半反射设计，通过反射光进行显示，可以分别显示两个画面的内容，增大显示设备的显示内容。本发明液晶显示器在户外可以利用日光来充当背光源进行显示，无背光源的结构可以将显示设备的功耗大大降低，更加适合移动便携设备对长时间续航的要求。同时由于不采用背光源，降低了成本，减少了环境污染。

附图说明