[发明专利]液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器，包括对盒在一起并将液晶夹设其间的TFT-LCD阵列基板和彩膜基板，其特征在于，所述TFT-LCD阵列基板包括栅线、用于控制第一数据线向第一像素电极提供第一数据电压的第一薄膜晶体管和用于控制第二数据线向第二像素电极提供第二数据电压的第二薄膜晶体管，所述彩膜基板包括黑矩阵和彩色树脂，所述第一像素电极的位置与黑矩阵之间的彩色树脂的位置相对应，用于通过透射方式在彩膜基板一侧显示第一图像，所述第二像素电极与黑矩阵上的彩色树脂的位置相对应，用于通过反射方式在TFT-LCD阵列基板一侧显示第二图像。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一像素电极位于像素区域的中部区域，所述第二像素电极位于第一像素电极的外围。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述黑矩阵上设置有用于形成全反射或漫反射的反射层。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述彩膜基板上还设置有公共电极。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第二薄膜晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二源电极和第二漏电极。

6.一种液晶显示器制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、分别制备TFT-LCD阵列基板和彩膜基板；所述TFT-LCD阵列基板包括栅线、用于控制第一数据线向第一像素电极提供第一数据电压的第一薄膜晶体管和用于控制第二数据线向第二像素电极提供第二数据电压的第二薄膜晶体管，所述彩膜基板包括黑矩阵、彩色树脂和公共电极；

步骤2、将所述TFT-LCD阵列基板和彩膜基板进行对合，所述第一像素电极的位置与黑矩阵之间的彩色树脂的位置相对应，用于通过透射方式在彩膜基板一侧显示第一图像，所述第二像素电极与黑矩阵上的彩色树脂的位置相对应，用于通过反射方式在TFT-LCD阵列基板一侧显示第二图像。

7.根据权利要求6所述的液晶显示器制造方法，其特征在于，所述步骤1中制备TFT-LCD阵列基板包括：

步骤11、在基板上通过构图工艺形成包括栅线、第一栅电极和第二栅电极的图形；

步骤12、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一数据线、第二数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图形；

步骤13、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一过孔和第二过孔的图形，所述第一过孔位于第一漏电极的上方，所述第二过孔位于第二漏电极的上方；

步骤14、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括第一像素电极和第二像素电极的图形，所述第一像素电极位于像素区域的中部区域，通过第一过孔与第一漏电极连接，所述第二像素电极位于第一像素电极的外围，通过第二过孔与第二漏电极连接。

8.根据权利要求7所述的液晶显示器制造方法，其特征在于，所述步骤12包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体层薄膜；

采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜；

在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，显影后使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，光刻胶完全保留区域对应于第一数据线、第二数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极图形所在区域，光刻胶部分保留区域对应于第一TFT沟道区域和第二TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；

通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括第一有源层、第二有源层、第一数据线和第二数据线的图形；

通过灰化工艺去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉部分曝光区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，使该区域的半导体薄膜暴露出来，形成包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一TFT沟道区域和第二TFT沟道区域的图形；

剥离剩余的光刻胶。