[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，制造薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)阵列基板是通过一组构图工艺形成构图来完成，一次构图工艺形成一层构图，构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着制造成本的降低。现在技术的五次构图工艺包括：栅线和栅电极构图、有源层构图、源电极/漏电极构图、钝化层过孔构图和像素电极构图，每一次构图工艺中又分别包括薄膜沉积、掩膜曝光和刻蚀工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀。

现在技术采用的四次构图工艺技术是在五次构图工艺基础上，利用半色调(Half Tone)或灰色调(Gray Tone)掩模板技术，将有源层构图与源电极/漏电极构图合并成一个构图工艺，通过一次构图工艺完成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的制作，其工艺过程主要包括：通过采用普通掩模板的第一次构图工艺形成栅线和栅电极图形；通过采用半色调或灰色调掩模板的第二次构图工艺形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形；通过采用普通掩模板的第三次构图工艺形成钝化层过孔、栅线接口过孔和数据线接口过孔图形；通过采用普通掩模板的第四次构图工艺形成像素电极图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

由于每次构图工艺均需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，而每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，因此现有技术五次构图工艺存在工艺复杂、生产周期长和使用掩模板数量多等缺陷，同时较长的工艺周期增加了不良发生率，造成良品率降低、成本增加。而现有技术四次构图工艺中，由于TFT沟道区域图形是采用部分曝光和多步刻蚀工艺形成，导致TFT沟道区域图形刻蚀均匀性较差，薄膜晶体管的性能不稳定。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，采用三次构图工艺实现TFT-LCD阵列基板的制造，不仅工艺简化，而且薄膜晶体管的性能稳定。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括数条栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的每个像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极分别通过半导体层表面形成的掺杂半导体层与半导体层连接。

所述掺杂半导体层为使用磷烷或氨气电离后离子注入到半导体层表面后形成。

所述栅线上形成有覆盖整个基板的栅绝缘层；所述薄膜晶体管的半导体层形成在所述栅绝缘层上，并位于所述薄膜晶体管的栅电极的上方；钝化层形成在上述构图上，在所述半导体层所在位置开设有源电极过孔和漏电极过孔；所述掺杂半导体层形成在源电极过孔和漏电极过孔内的半导体层表面上。

所述源电极通过其下方的透明导电薄膜和源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述漏电极通过其下方的透明导电薄膜和漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域。

所述源电极通过其下方的透明导电薄膜和源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述漏电极为与像素电极相互连接成一体结构的透明漏电极，所述透明漏电极通过漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述源电极与透明漏电极之间形成TFT沟道区域。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅线和准半导体层的图形，所述准半导体层位于栅线的上方；

步骤2、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成半导体层图形，在所述半导体层所在位置形成包括源电极过孔和漏电极过孔的图形，且在所述源电极过孔和漏电极过孔内的半导体层表面形成掺杂半导体层；

步骤3、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极、数据线、源电极和漏电极的图形，所述源电极通过所述源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述漏电极通过所述漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域图形。