[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括数条栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的每个像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极分别通过半导体层表面形成的掺杂半导体层与半导体层连接。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述掺杂半导体层为使用磷烷或氨气电离后离子注入到半导体层表面后形成。

3.根据权利要求1或2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅线上形成有覆盖整个基板的栅绝缘层；所述薄膜晶体管的半导体层形成在所述栅绝缘层上，并位于所述薄膜晶体管的栅电极的上方；钝化层形成在上述构图上，在所述半导体层所在位置开设有源电极过孔和漏电极过孔；所述掺杂半导体层形成在源电极过孔和漏电极过孔内的半导体层表面上。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源电极通过其下方的透明导电薄膜和源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述漏电极通过其下方的透明导电薄膜和漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域。

5.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源电极通过其下方的透明导电薄膜和源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述漏电极为与像素电极相互连接成一体结构的透明漏电极，所述透明漏电极通过漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述源电极与透明漏电极之间形成TFT沟道区域。

6.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅线和准半导体层的图形，所述准半导体层位于栅线的上方；

步骤2、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成半导体层图形，在所述半导体层所在位置形成包括源电极过孔和漏电极过孔的图形，且在所述源电极过孔和漏电极过孔内的半导体层表面形成掺杂半导体层；

步骤3、在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极、数据线、源电极和漏电极的图形，所述源电极通过所述源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述漏电极通过所述漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，所述源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域图形。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：

在基板上沉积栅金属薄膜；

采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线的图形；

依次沉积栅绝缘层和半导体薄膜；

采用自对准光刻工艺形成包括准半导体层的图形，所述准半导体层位于栅线的上方。

8.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

在完成步骤1的基板上沉积钝化层；

在钝化层上涂敷一层光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，显影后使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶部分保留区域，其中光刻胶完全去除区域对应于除薄膜晶体管和数据线所在位置以外的栅线图形所在区域，光刻胶部分保留区域对应于源电极过孔和漏电极过孔图形所在区域，光刻胶完全保留区域对应于上述图形以外区域；

通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的钝化层、准半导体层和栅绝缘层，形成包括半导体层的图形；

通过灰化工艺完全去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出该区域的钝化层；

通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的钝化层，在半导体层所在位置形成包括源电极过孔和漏电极过孔的图形；

使用磷烷或氨气电离后离子注入到源电极过孔和漏电极过孔内，使暴露出来的半导体层表面形成掺杂半导体层；

剥离剩余的光刻胶。