[发明专利]电极设备和检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电极设备和检测方法，属于液晶显示器制造技术领域。

背景技术

随着半导体工业的不断进步，半导体制造技术也随之快速发展。其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以下简称：TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低以及无辐射等特点而被广泛应用。

在现有的TFT-LCD或半导体器件的生产制造过程中，平板型等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)被广泛的应用于非金属成膜过程，相应的等离子体蚀刻方法被广泛地应用于非金属膜层的蚀刻过程。在成膜过程中，将衬底放在具有温控装置的下部电极上，压强通常保持在133帕左右，射频电压加在上部电极和下部电极之间，于是在上下部电极间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体。这些等离子体具有高反应活性，很容易被吸附到较低温度的衬底表面上，发生非平衡的化学反应，从而沉积生成薄膜。蚀刻过程首先利用气压为10～1000帕的特定气体(或混合气体)的辉光放电，产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团，生成的反应产物是挥发性的。它在低气压的真空室中被抽走，从而实现蚀刻。但是在成膜过程和蚀刻过程中，反应气体复杂，设置在上部电极上的孔洞容易发生堵塞，且上部电极堵塞的情况只有在产品的终端检测阶段才会被发现。而且，针对性的检测过程需要停止生产设备运行，打开封装上部电极和下部电极的腔体才能完成。

由此可知，现有技术中，上部电极发生堵塞的情况不能被及时发现，轻则影响TFT-LCD的特性，引起MURA，重复性缺陷(repeat defect)等现象，重则整张玻璃断裂，给生产带来重大的损失。

发明内容

本发明提供一种电极设备和检测方法，用以解决现有技术中由于设置在上部电极上的孔洞发生堵塞而又不能被及时发现的问题，杜绝了因上部电极发生堵塞而导致的MURA，repeat defect等现象，并能进一步检测出放置在压敏薄膜上的玻璃基板是否存在破损或裂纹，降低了生产风险。

为实现上述目的，本发明提供了一种电极设备，包括：上部电极、下部电极以及电压检测模块，所述上部电极与所述下部电极相对设置，所述下部电极与所述上部电极相对的表面上设有压敏薄膜，所述电压检测模块根据所述压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电阻变化，获取相应的电压变化值，并根据所述电压变化值进行检测处理。

为实现上述目的，本发明还提供一种检测方法，包括：电压检测模块检测设置在下部电极表面的压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电压变化，获取电压变化值，并在所述电压变化值超过预设值时发送报警信号。

本发明通过在下部电极的表面上布设压敏薄膜，可以根据该压敏薄膜在受到从上部电极的孔洞中通入的气流时，所承受的压力变化来检测上部电极是否发生堵塞，从而能够及时发现上部电极是否发生堵塞，杜绝了因上部电极发生堵塞而导致的MURA，重复性缺陷(repeat defect)等现象，降低了生产风险；而且，本实施例还能够通过该压敏薄膜检测到玻璃基板在传送过程中是否出现破碎或者裂纹，从而提高了生产效率，降低了损失。另外，本发明在实施过程中，不需要停止生产设备的运行，更不需要打开封装上部电极和下部电极的腔体，因此，操作简单，不会影响正常的生产流程且效率高。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明电极设备第一实施例的结构示意图；

图2为本发明电极设备第二实施例中下部电极的俯视结构示意图；

图3为本发明检测方法实施例的流程图。

具体实施方式

本发明电极设备包括：上部电极、下部电极以及电压检测模块，所述上部电极与所述下部电极相对设置，下部电极与上部电极相对的表面上设有压敏薄膜，电压检测模块根据该压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电阻变化，获取相应的电压变化值，并根据该电压变化值进行检测处理。

本发明的电极设备在PECVD/蚀刻设备的下部电极上设置一层压敏薄膜。根据气压传感原理，压敏薄膜表面承受的压力变化可以产生电压变化。检测这种电压变化，即可及时监控PECVD/蚀刻设备上部电极堵塞情况，或者玻璃基板在传送过程中是否出现破碎或裂纹。