[发明专利]电极设备和检测方法

权利要求书

1.一种电极设备，包括：上部电极、下部电极以及电压检测模块，所述上部电极与所述下部电极相对设置，其特征在于，所述下部电极与所述上部电极相对的表面上设有压敏薄膜，所述电压检测模块根据所述压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电阻变化，获取相应的电压变化值，并根据所述电压变化值进行检测处理。

2.根据权利要求1所述的电极设备，其特征在于，还包括充气设备，用于通过设置在所述上部电极上的孔洞向所述下部电极设有所述压敏薄膜的表面充入气流。

3.根据权利要求2所述的电极设备，其特征在于，所述气流为惰性气体。

4.根据权利要求1所述的电极设备，其特征在于，所述下部电极的中部与一用于翻转所述下部电极的中枢轴连接。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的电极设备，其特征在于，所述电压检测模块包括与所述压敏薄膜连接的电压输入端、电压输出端以及与所述电压输出端连接的检测模块。

6.根据权利要求5所述的电极设备，其特征在于，所述压敏薄膜包括多个平行设置且依次连接的压敏薄膜条，所述电压输入端与所述压敏薄膜的一端连接，所述电压输出端与所述压敏薄膜的另一端连接。

7.根据权利要求6所述的电极设备，其特征在于，所述压敏薄膜包括50～190个平行设置的压敏薄膜条。

8.根据权利要求5所述的电极设备，其特征在于，所述压敏薄膜采用磁控溅射法将具有气压敏感效应的碳/硅异质结材料沉积在所述下部电极上形成。

9.根据权利要求8所述的电极设备，其特征在于，所述压敏薄膜采用磁控溅射法将纯度为99.9％的石墨靶溅射到抛光的硅基片上形成，或者采用磁控溅射法将含有0～10％质量分数的铁的铁-石墨混合靶溅射到抛光的硅基片上形成。

10.根据权利要求9所述的电极设备，其特征在于，所述压敏薄膜的厚度在20纳米～200纳米范围内。

11.一种检测方法，其特征在于，包括：

电压检测模块检测设置在下部电极表面的压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电压变化，获取电压变化值，并在所述电压变化值超过预设值时发送报警信号。

12.根据权利要求11所述的检测方法，其特征在于，所述电压检测模块检测设置在下部电极表面的压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电压变化之前，包括：

充气设备通过设置在上部电极上的孔洞向所述下部电极设有所述压敏薄膜的表面充入气流。

13.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述充气设备通过设置在上部电极上的孔洞向所述下部电极设有所述压敏薄膜的表面充入气流之前，还包括：

应用电控设备控制中枢轴，通过所述中枢轴将所述下部电极翻转180度，使所述下部电极设有所述压敏薄膜的表面朝向所述气流进入的方向。

14.根据权利要求11～13中任一权利要求所述的检测方法，其特征在于，所述电压检测模块检测设置在下部电极表面的压敏薄膜因承受的压力变化而产生的电压变化，具体为：

电压输入端向所述压敏薄膜输入电压；

电压输出端检测所述压敏薄膜的输出电压；

检测模块比较所述输出电压与正常电压值，获取电压变化值，并在所述电压变化值大于预设电压变化值时，发送报警信号。