[发明专利]非易失性存储器控制栅极字线的加工方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器控制栅极字线的加工方法，待加工的晶片已形成控制栅极，所述控制栅极的顶部由氮化硅构成，所述晶片上控制器栅极分布的区域称为存储单元区，存储单元区的外围区域称为外围电路区；其特征在于，包括如下步骤：

在所述晶片上表面沉积第一层多晶硅薄膜；

在所述第一层多晶硅薄膜的上表面沉积氧化物隔离层，并在外围电路区的氧化物隔离层上覆盖光刻胶；

对所述晶片进行蚀刻，当未被光刻胶覆盖的氧化物隔离层反应完毕后停止蚀刻；

移除光刻胶，在所述晶片残余的第一层多晶硅薄膜和氧化物隔离层的上表面沉积第二层多晶硅薄膜；

对所述晶片进行字线化学机械抛光，存储单元区的控制栅极顶部的氮化物露出多晶硅薄膜的上表面，则停止字线化学机械抛光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一层多晶硅薄膜的上表面沉积的氧化物隔离层的厚度为300埃至700埃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物隔离层的厚度为500埃。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述在晶片上表面沉积的第二层多晶硅薄膜的厚度的取值范围为600埃至2000埃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二层多晶硅薄膜的厚度为：600埃、800埃、1000埃、1200埃、1400埃、1600埃、1800埃或2000埃。