[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法和液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器以及制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)阵列基板及其制造方法和液晶显示面板。

背景技术

TFT-LCD阵列基板中，通常先在透明基板上沉积一层透明导电薄膜作为公共电极，然后再在基板上形成像素电极，像素电极和公共电极之间产生的平行于透明基板的电场使得液晶分子在平行于透明基板的平面内转动，像素电极和公共电极之间不重叠的部分形成液晶电容；像素电极和公共电极之间的重叠部分形成存储电容，用于保持像素电极上的电压。

在向像素电极施加电压的过程中，会产生馈通(Feed Through)，产生的馈通电压大小为：Δv＝(Δgate·Cgd)/(Cgd+Cst+Clc)，其中Δv为馈通电压，ΔGate为TFT的栅电极电压，Cgd为TFT的栅电极和漏电极之间重叠部分产生的电容，Cst为像素电极和公共电极之间的存储电容，Clc为像素电极和公共电极之间的液晶电容。馈通电压的存在会导致施加在像素电极上的电压下降。

液晶分子的反转是通过像素电极和公共电极之间的电压差来实现的，并且为了延缓液晶分子老化，相邻帧的液晶分子两侧的电压差是相反的，像素电极电压下降，会导致液晶显示时，相邻帧之间图像亮度产生突变。如图16所示为现有技术中TFT-LCD阵列基板的像素电极上产生馈通电压的示意图，在第n帧液晶显示时间内，初始阶段栅电极中输入的信号11为高电平，像素区域的TFT打开，数据线中输入的信号12通过TFT输入到像素电极上，像素电极上输入的信号13的电压大于公共电极上输入的信号14的电压，由于馈通，像素电极上输入的信号13与数据线中输入的信号12相比有所下降，像素电极上输入的信号13与公共电极上输入的信号14之间的电压差小于预期的电压差，即施加在液晶分子两侧的电压差会小于预期的电压差；在第n+1帧液晶显示时间内，初始阶段栅电极中输入的信号11为高电平，像素区域的TFT打开，数据线中输入的信号12通过TFT输入到像素电极上，像素电极上输入的信号13的电压小于公共电极上输入的信号14的电压，由于馈通，像素电极上输入的信号13与数据线中输入的信号12相比有所下降，像素电极上输入的信号13与公共电极上输入的信号14之间的电压差大于预期的电压差，即施加在液晶分子两侧的电压差会大于预期的电压差，所以相邻两帧液晶显示时间内施加在液晶分子两侧的电压差会产生突变，导致画面显示不良。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的问题，提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，能够使得相邻帧液晶显示时间内施加在液晶分子两侧的电压差不会由于馈通效应的存在而产生突变。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括第一栅线和第一数据线，所述第一栅线和第一数据线限定的像素区域内形成有第一电极和第一TFT，还包括第二TFT和第二电极，所述第二TFT与所述第二电极连接，所述第一电极和第二电极用于形成电压差驱动液晶分子反转，所述第一TFT与第二TFT同时开启或关闭。

本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上形成包括第一栅线、第一数据线、第二电极、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第二数据线、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极、第一TFT沟道、第二TFT沟道的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上，沉积一层钝化层薄膜，形成钝化层过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积一层透明导电薄膜，形成包括第一电极的图形，使得所述第二TFT通过所述钝化层过孔与所述第二电极连接，使得所述第一TFT通过所述钝化层过孔与所述第一电极连接。

本发明还提供了一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板上设置有第一电极和第一TFT，所述第一TFT与所述第一电极连接，还包括设置在所述阵列基板或彩膜基板上的第二TFT和第二电极，所述第二TFT与所述第二电极连接，所述第一TFT与第二TFT同时开启或关闭。