[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法和液晶显示面板

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括第一栅线和第一数据线，所述第一栅线和第一数据线限定的像素区域内形成有第一电极和第一TFT，其特征在于，还包括第二TFT和第二电极，所述第二TFT与所述第二电极连接，所述第一电极和第二电极用于形成电压差驱动液晶分子反转，所述第一TFT与第二TFT同时开启或关闭。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括第二数据线，所述第二数据线与所述第二TFT的第二源电极连接，所述第二电极与所述第二TFT的第二漏电极连接，所述第一栅线与所述第二TFT的第二栅电极连接。

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括第二数据线和第二栅线，所述第二数据线与所述第二TFT的第二源电极连接，所述第二电极与所述第二TFT的第二漏电极连接，所述第二栅线与所述第二TFT的第二栅电极连接。

4.根据权利要求2或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二数据线包括第二数据线条和第一连接条，每个所述像素区域内均包括一个第二数据线条，同一列中，相邻的像素区域中的第二数据线条通过第一连接条连接起来。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二数据线条上设置第二过孔和第三过孔，所述第一连接条通过所述第二过孔和第三过孔将同一列中相邻的像素区域中的第二数据线条连接起来。

6.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二源电极与第二数据线之间通过第二连接条连接，所述第二连接条分别与设置在所述第二源电极上的第五过孔和设置在所述第二数据线上的第四过孔连接；所述第二漏电极和第二电极之间通过第三连接条连接，所述第三连接条分别与设置在所述第二漏电极的第六过孔和设置在第二电极上的第七过孔连接。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，第一栅线、第一TFT的第一栅电极、第二栅电极和第二数据线条在同一次构图工艺中形成。

8.根据权利要求7所述的所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一TFT的第一源电极和第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一数据线、第一TFT的沟道以及第二TFT的沟道在同一次构图工艺中形成。

9.根据权利要求2或3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二源电极与第二数据线之间通过第二连接条连接，所述第二连接条分别与设置在所述第二源电极上的第五过孔和设置在所述第二数据线上的第四过孔连接；所述第二漏电极和第二电极之间通过第三连接条连接，所述第三连接条分别与设置在所述第二漏电极的第六过孔和设置在第二电极上的第七过孔连接。

10.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，第一栅线、第一TFT的第一栅电极、第二栅电极在同一次构图工艺中形成。

11.根据权利要求10所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，第一TFT的第一源电极和第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一数据线、第二数据线、第一TFT的沟道以及第二TFT的沟道在同一次构图工艺中形成。

12.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成包括第一栅线、第一数据线、第二电极、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第二数据线、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极、第一TFT沟道、第二TFT沟道的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上，沉积一层钝化层薄膜，形成钝化层过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积一层透明导电薄膜，形成包括第一电极的图形，使得所述第二TFT通过所述钝化层过孔与所述第二电极连接，使得所述第一TFT通过所述钝化层过孔与所述第一电极连接。