[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法有效
申请号: | 200910081136.9 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101510563A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 邱勇;刘嵩 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种柔性薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)的结构和制备 方法。
背景技术
可弯曲显示技术使显示器件的设计不再局限于平面化,而是提供多元的外形 与设计,而轻薄、耐冲击的特性则适用于移动电话、PDA或笔记本电脑等便携式 产品。这类显示器件柔软可变形且不易损坏,可以安装在弯曲的表面,可以制 成人们梦寐以求的电子报刊、墙壁电视、可穿戴的显示器,淋漓尽致的展现 出有机半导体的魅力。
除此之外,开发柔性显示器件的另一重要因素在于其工艺可以由Sheet-fed Batch Processing(分批装片式制程)转换成Roll-to-Roll Manufacturing(滚 动条式制程),意味着显示器件的制造成本可大幅降低。与纸张相似的厚度及柔 性、数字电子媒体的信息可更新性、机械向性能上的优点、制造成本的优势,柔 性显示器件极有可能替换目前的平面显示器件,在新兴市场取得商机。
TFT-LCD(液晶显示器)是指液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在 其后的薄膜晶体管来驱动,利用扫描的方法任意控制一个显示点的ON/OFF,从 而可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示信息。AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源有机电致发光显示器件)同样可以用TFT驱动,每个像 素配备具有开关功能的薄膜晶体管,而且每个像素配备一个电荷存储电容,外围 驱动电路和显示阵列整个系统集成在同一基板上。与TFT-LCD的TFT结构不同 之处在于,LCD采用电压驱动,而AMOLED采用电流驱动,其亮度与电流成 正比,因此除了进行ON/OFF切换动作的选址TFT之外,还需要能让足够电流 通过的ON阻抗较低的小型驱动TFT。SRAM(静态随机存储器)同样可以用 TFT进行驱动。
TFT的制造工艺有多种,包括低温多晶硅(LTPS,Low Temperature Poly Silicon)、高温多晶硅(HTPS,High Temperature Poly Silicon)、非晶硅(a-Si, Amorphous Silicon)等。其基底材料一般为玻璃、石英、单晶硅,如果用柔性的 基底来代替,则成为柔性TFT,实现柔性显示。
在柔性TFT中,基底因为与器件的成本、显示质量、产品可靠性及工艺方法 都有很大的关联性而扮演着极为重要的角色。目前,柔性TFT基底的材料主要有 薄玻璃、塑料、金属薄片三种。
但是不管采用哪种基底,柔性TFT在性能方面和制备过程中还存在很多问 题:
(1)超薄玻璃具有加工温度高、水氧阻隔性强等优点,但其柔韧性不够, 具有易碎、易弯折等缺点,加工的可操作性差。
(2)聚合物(如:塑料)具有柔韧性好、可操作性强等优点,但其平整性 差,表面凸起会给膜层结构带来缺陷,引起器件损坏;气密性较差,水、氧透过 率高,而水、氧是造成器件迅速老化的主要原因。栅极材料在聚酯材料上的附着 力较差,使得显示图形的制备变得困难,而且也影响了器件的稳定性。目前在塑 料基底与栅极之间涂布一层聚合物(如:聚酰亚胺),一方面加强基底与栅极的 结合力,另一方面阻止水氧透过基底。
(3)金属基底加工温度高、水氧阻隔性强,且与超薄玻璃相比,加工的可 操作性强,但是金属整体导电且表面粗糙,无法直接在其表面制备电极,需要在 基底与电极之间增加绝缘层。
目前来看,塑料基底与栅极之间用来隔绝水氧的层(以下称隔绝层)可以为 有机材料(聚酰亚胺等)或无机小分子材料,如SiOx、SiNx等;金属基底与栅 极之间用来绝缘的层(以下称隔绝层)也可以为有机材料或无机材料。目前隔绝 层的制备工艺通常有两种方案:利用旋涂、喷射涂布等湿法工艺在基底表面制备 一层PI(聚酰亚胺)或利用化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)的方 法在基底表面制备无机小分子材料层,如SiOx、SiNx等。但无论是有机材料还 是无机材料,在器件制备的后续工艺如电极刻蚀、UV光照等过程中会被酸、碱 或有机溶剂破坏,即溶于酸、碱或有机溶剂,从而影响整个器件的稳定性与寿命。
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