[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200910081136.9 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101510563A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;刘嵩 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京维信诺科技有限公司;昆山维信诺显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性薄膜晶体管，包括：
基底、栅极、栅极绝缘层、源极和漏极，还包括形成在基底上的隔绝层，其 特征在于，在所述隔绝层上还形成有保护层，该保护层选用与隔绝层材料溶解于 不同溶剂的材料，且该保护层不溶于酸或碱溶剂，上述隔绝层为聚酰亚胺、聚四 氟乙烯、聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物、SiOx或SiNx，上述保护层为环氧树 脂或压克力树脂。
2.根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述基底为金属、合金或 聚合物。
3.根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的厚度为 500nm-10um。
4.根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层用涂布的方法 制备。
5.根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管可用于制 造TFT-LCD、有源有机电致发光器件、TFT-SRAM。
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